Termocoppia a film sottile realizzata in materiale piezoceramico

Termocoppie di Il trasduttore dei dischi piezoelettrici in materiale piezoelettrico può sopportare grandi differenze di temperatura e potenza termica. Una termocoppia a film sottile è composta da due ITO piezoceramico mediante elettrodi caldi (con diverse concentrazioni di portatori di carica), che possono funzionare a temperature inferiori a 1 200 °C; Le termocoppie a film sottile In2O3/ITO sono fabbricate su un substrato di lega a base di nichel e possono essere utilizzate a una temperatura di 1 000°C. funziona in determinate condizioni; le termocoppie sono costituite da In2O3:SnO2 (frazione di massa 95%:5%) e In2O3 che hanno una grande uscita termoelettrica, buona stabilità e ripetibilità dalla temperatura ambiente a 1 300°C. E durabilità, tempo di sopravvivenza il sensore ad effetto piezoelettrico r supera le 50 ore; l'uscita termoelettrica delle termocoppie a film sottile ITO/Pt è stabile dalla temperatura ambiente a 1.200°C; dopo il drogaggio con azoto nell'ITO, la stabilità alle alte temperature sarà migliorata, l'azoto viene dopato. Le termocoppie ITO in platino e platino possono resistere a temperature fino a 1 000 °C, il trasduttore piezoelettrico ha una potenza termoelettrica maggiore rispetto alle termocoppie di tipo S e hanno una migliore stabilità nella temperatura ambiente fino a 1 000 °C grazie ai nanocompositi NiCoCrAlY/allumina. Le termocoppie realizzate in ITO drogato con azoto hanno una grande potenza termica e possono funzionare inferiore a 1 200 °C.

Le termocoppie a film sottile sono realizzate con altri materiali piezoceramici in grado di resistere alle temperature operative massime limitate. I dati di uscita termoelettrica delle termocoppie a film sottile CrSi2/Pt dalla temperatura ambiente a 650 °C sono lineari, mentre i dati di uscita termica delle termocoppie a film sottile TaC/Pt dalla temperatura ambiente a 450 °C sono lineari. Le termocoppie a film sottile sono realizzate in SiC (CMC) e il platino hanno un ampio coefficiente Seebeck, che è due ordini di grandezza superiore a quello della termocoppia lineare di tipo K, ma quando la temperatura è superiore a 1 000 °C, si formano siliciuri all'interfaccia tra Pt e SiC. Può essere utilizzato solo a temperature inferiori a 1 000 °C; Termocoppie a film sottile TiC/TaC di Il trasduttore a dischi piezoelettrici può essere utilizzato a temperature del vuoto di 1 350 K. La temperatura di resistenza del rilevatore a film sottile è composta principalmente da un materiale metallico o piezoceramico e ha una struttura relativamente semplice. Gli RTD a film sottile di platino funzionano generalmente a temperature comprese tra 20 °C e 700 °C. RTD a film sottile in oro di sensore a piastra piezoelettricas può misurare temperature da 20 °C a 450 °C. Gli RTD realizzati in ITO possono essere utilizzati a temperature inferiori a 900 °C, i materiali piezoceramici degli RTD a film sottile sono realizzati in SiAlCN, possono funzionare stabilmente per un lungo periodo di tempo al di sotto di 1.400 °C.