Aktualności

Jesteś tutaj: Dom / Aktualności / Podstawy ceramiki piezoelektrycznej / Proces techniczny ceramiki piezoelektrycznej z tlenku glinu

proces techniczny ceramiki piezoelektrycznej z tlenku glinu

Wyświetlenia: 5 Autor: Edytor witryny Czas publikacji: 2018-08-31 Pochodzenie: Strona

Pytać się

Proces przygotowania tlenku glinu Ceramika piezoelektryczna obejmuje głównie trzy aspekty: przygotowanie proszku tlenku glinu, tworzenie ceramiki z tlenku glinu i przygotowanie spiekanej ceramiki z tlenku glinu. Obecnie proces przygotowania proszku tlenku glinu obejmuje następujące aspekty:

(1) metoda hydrolizy. Metoda charakteryzuje się działaniem katalizatora, w wyniku którego aluminium i alkohol organiczny ulegają reakcji, tworząc roztwór alkoholu glinowego, który jest hydrolizowany do wodorotlenku glinu, a wodorotlenek glinu jest spiekany w wysokiej temperaturze w celu uzyskania proszku tlenku glinu o wysokiej czystości.

(2) Metoda krystalizacji, w tym metoda krystalizacji węglanu glinu i siarczanu glinu zgodnie z metodą krystalizacji. Wśród nich węglan glinu kalcynuje się w temperaturze 1200°C w celu otrzymania tlenku glinu o wysokiej czystości, zgodnie z metodą krystalizacji; siarczan glinu dokładnie miesza się z siarczanem glinu zgodnie z metodą krystalizacji. Aluminiowy materiał piezoelektryczny Przygotowuje się kryształ piezoceramicznych rur cylindrycznych , a proces krystalizacji pieniędzy z siarczanu glinu jest kontrolowany w celu zwiększenia czystości siarczanu glinu. Kryształy dokładnie kalcynowano w piecu muflowym w temperaturze 1200°C. Metoda polega na usuwaniu zanieczyszczeń, takich jak krzem i żelazo, z roztworu glinianu sodu w celu otrzymania wodorotlenku glinu o wysokiej czystości i otrzymywania tlenku glinu o wysokiej czystości poprzez kalcynację lub podobną metodę. Roztwór glinianu sodu o wysokiej czystości poddano głębokiemu odkrzemianiu i przeanalizowano optymalne parametry procesu usuwania krzemu z roztworu glinianu sodu.

(3) Metoda spiekania wodorotlenkiem glinu. Przemysłowy wodorotlenek glinu zawierający zanieczyszczenia Si, Fe umieszczono w temperaturze 500°C na 1,5 godziny, a następnie rozpuszczono w kwasie i przemyto wodą w celu kontynuacji spiekania do 900°C, w wyniku czego otrzymano ultradrobny tlenek glinu o wysokiej czystości, który ma czystość 99,95%.

(4) Metoda syntezy w fazie gazowej A1C13. Metoda polega na umieszczeniu A1C13 w temperaturze 200°C w obecności katalizatora.

Proces formowania materiału Pzt Przetwornik rurowy piezoceramiczny obejmuje głównie prasowanie na sucho, fugowanie, formowanie przez wytłaczanie i formowanie odlewnicze. Wśród nich metoda odlewania jest stosunkowo nowa w porównaniu z metodą tysiącwarstwowego formowania piezoceramicznego i jest ważnym procesem formowania cienkowarstwowego materiału ceramicznego. Do proszku piezoceramicznego dodaje się rozpuszczalnik, środek dyspergujący, spoiwo, plastyfikator i inne składniki w celu uzyskania jednorodnej zdyspergowanej zawiesiny, a następnie na maszynie odlewniczej przygotowuje się metodę formowania arkusza piezoceramicznego o wymaganej grubości. Proces odlewania obejmuje głównie aspekty:

(1) proces odlewania taśmy bez użycia wody. Do przygotowania zastosowano metodę odlewania bez użycia wody podłoże czujnika piezoelektrycznego ceramicznego . Omówiono wpływ parametrów procesu odlewania metodą niewodną na właściwości użytkowe podłoża. Przeanalizowano optymalny stosunek niewodnego dodatku do formowania odlewów. W wyniku spiekania otrzymano piezoceramiczne podłoże z tlenku glinu, które ma ziarna piezokrystaliczne, wysoką gęstość i dobre właściwości dielektryczne.

(2) proces formowania odlewów taśmowych. Podłoża piezoceramiczne z tlenku glinu o gładkiej powierzchni i gęstości względnej do 99,5% przygotowano metodą odlewania. Badano wpływ pH i środka dyspergującego na zawiesinę tlenku glinu. Badano plastyfikator i wiązanie. Wpływ tej ilości ma wpływ na półfabrykat odlewniczy i jego właściwości spiekania.

Spiekanie umożliwia piezoceramiczny materiał czujnika w celu uzyskania pożądanej mikrostruktury i jest ważnym procesem nadawania różnych właściwości materiału. Proces przygotowania spiekanego tlenku glinu obejmuje spiekanie w prasie na gorąco, które przykłada jednokierunkową siłę osiową w środowisku spiekania w wysokiej temperaturze, aby korpus spiekający był całkowicie zagęszczony. Proszek poddano spiekaniu na gorąco w temperaturze 1450°C w celu wytworzenia drobnego materiału piezoceramicznego z tlenku glinu, który ma wielkość ziaren 0,5 mi wytrzymałość na zginanie 445-545 MPa. Po dodaniu Mg0 do dalszych badań, w tych samych warunkach procesu przygotowano piezoceramikę z tlenku glinu o gęstości względnej 99,3% i wytrzymałości na zginanie 635 MPa. Metoda polega na zastosowaniu nacisku izostatycznego na korpus zarodka i spiek, tak aby Czujnik z kryształami piezoelektrycznymi można spiekać w niższej temperaturze, dzięki czemu materiał, którego nie można spiekać pod normalnym ciśnieniem, można spiekać i spiekać w jednolitą mikrostrukturę i dobrą wydajność. ceramika. Metoda ogrzewania i spiekania mikrofalowego wykorzystuje interakcję pomiędzy medium a kuchenką mikrofalową. W procesie powierzchnia i wnętrze korpusu piezoceramicznego jest jednocześnie podgrzewane i spiekane. Kluczowe laboratorium wydziału materiałów Uniwersytetu Tsinghua badało technologię spiekania mikrofalowego wytrzymałej ceramiki piezoelektrycznej i uzyskało związek między krzywą spiekania mikrofalowego a gęstością względną. Mieszany gaz poddano mikrofalowemu spiekaniu plazmowemu przez 15 minut, aż gęstość względna ciała zarodka osiągnęła 99% gęstości teoretycznej. Gęstość względna ceramiki piezoelektrycznej otrzymanej konwencjonalną metodą spiekania. W tych samych warunkach procesu można osiągnąć jedynie 63% gęstości teoretycznej, a próbkę poddaje się spiekaniu plazmą mikrofalową i porównuje z próbką spiekaną w piecu konwencjonalnym.