مبدل اولتراسونیک لایه نازک با دمای بالا

طیف گسترده ای از لایه نازک با دمای بالا مبدل اولتراسونیک معرفی شده است. کرنش سنج های لایه نازک با دمای بالا و کرنش سنج های لایه نازک با دمای بالا برای لایه های نازک آلیاژی دوتایی نسبت به مواد حساس در مراحل اولیه استفاده می شوند. با توجه به ویژگی های مواد مختلف و فرآیندهای ساخت مبدل فاصله اولتراسونیک ، لایه نازک نوار سنج توسط آلیاژهای مختلف ساخته شده است. که می تواند مقاومت در برابر درجه حرارت بسیار متفاوت است. به عنوان مثال، گیج های کرنش لایه نازک آلیاژ NiCr می توانند دمای آزمایش 600 درجه سانتی گراد را تحمل کنند. گیج های کرنش لایه نازک آلیاژ PdCr می توانند به حداکثر دمای کاری سنسور فاصله اولتراسونیک برسند. 

پس از بهینه سازی پارامترهای فرآیند، می توان آنها را در دمای 1100 درجه سانتیگراد استفاده کرد. کرنش سنج های لایه نازک Ni-CrAlY می توانند تا دمای 800 درجه سانتی گراد را تحمل کنند. مواد سرامیکی پیزو می توانند دماهای بالاتری را نسبت به آلیاژها تحمل کنند، کرنش سنج های پیزو سرامیکی شامل انواع ITO (ایندیوم قلع اکسید) و TaN 2 می باشد. کرنش سنج های لایه نازک ITO می توانند در دمای اتاق کار کنند برگه داده سنسور محدوده مافوق صوت ، اما سطح کرنش و دما تأثیر زیادی بر ضریب تغییرات دارد که عمدتاً ناشی از انتشار اکسیژن در فیلم ITO است. کرنش سنج های لایه نازک TaN می توانند تا دمای 400 درجه سانتی گراد را تحمل کنند. پارامترهای فرآیند تأثیر زیادی بر روی ریزساختار سنسور برد مافوق صوت لایه های نازک TaN دارند. ضریب مقاومت و ضریب کرنش کرنش سنج های لایه نازک. ضریب مقاومت دمایی TCR سرامیک ها و آلیاژهای پیزو مخالف یکدیگر بوده و می توانند یکدیگر را خنثی کنند. 

در حال حاضر کرنش سنج های لایه نازک چند لایه از سرامیک پیزو ساخته شده و آلیاژهای آن تولید شده است. TaN در هوای بالای 500 درجه سانتی گراد ناپایدار است، بنابراین دمای استفاده از کرنش سنج های چند لایه TaN/PdCr از 500 درجه سانتی گراد تجاوز نمی کند. باریم استرانسیوم تیتانات به عنوان محیط حساس سنسور اندازه‌گیری فاصله فراصوت خازنی استفاده می‌شود و الکترود PdCr به عنوان کرنش سنج لایه نازک با دمای بالا از ساختاری با صفحه تخت استفاده می‌کند و می‌تواند دمای بالای 500 درجه سانتی‌گراد را تحمل کند.