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8kHz-15kHz ट्रांसड्यूसर बेलनाकार पानी के नीचे ध्वनिक ट्रांसड्यूसर

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  • पीज़ोहन्नास

8kHz-15kHz ट्रांसड्यूसर बेलनाकार पानी के नीचे ध्वनिक ट्रांसड्यूसर


 8kHz-15kHz बेलनाकार पानी के नीचे ध्वनिक ट्रांसड्यूसर हाइड्रोफोन




1. माप सामग्री


1.1. चालन एवं धारिता वक्र

ट्रांसड्यूसर के संचालन और धारिता वक्र को मापना, और गुंजयमान आवृत्ति (12.5±1.5) kHz होनी चाहिए।


1.2. प्रतिक्रिया और ध्वनि स्रोत स्तर संचारित करना

ट्रांसड्यूसर की प्रतिक्रिया और ध्वनि स्रोत स्तर को 8kHz~15kHz के भीतर मापें, जिसमें से 12kHz पर प्रतिक्रिया 130dB से कम नहीं है और ध्वनि स्रोत स्तर 185dB से कम नहीं है।


1.3. क्षैतिज दिशा

सर्वदिशात्मक, माप आवृत्तियाँ 8kHz, 12kHz, और 15kHz।


1.4. ऊर्ध्वाधर दिशा

ट्रांसड्यूसर की ऊर्ध्वाधर दिशा को 8kHz, 12kHz और 15kHz पर मापना, जिनमें से 12kHz पर ऊर्ध्वाधर उद्घाटन कोण 50° से अधिक है।


1.5. हाइड्रोस्टेटिक दबाव: 4.5MPa.


2. माप डेटा

2.1 स्थैतिक धारिता

8kHz-15kHz ट्रांसड्यूसर 202401#

एफ/केएचजेड

सी/एनएफ

आर/Ω

8

28.38

13193

8.5

28.41

9515

9

28.51

7337

9.5

28.44

5537

10

27.98

4261

10.5

27.31

3505

11

26.46

3347

11.5

26.39

3510

12

25.42

2564

12.5

24.12

3043

13

23.78

3761

13.5

23.83

4527

14

23.94

5258

14.5

24.07

5910

15

24.16

6636



ट्रांसमिटिंग वोल्टेज प्रतिक्रिया (डीबी)


8kHz-15kHz ट्रांसड्यूसर 202401#

एफ/केएचजेड

डी换/एम

यू发/वीपीपी

यू收/एमवीपीपी

एम0/डीबी

एसवीएल/डीबी

एसएल/डीबी

8

1.23

780

23.06

-217

128.2

177.0

9

1.23

780

38.25

-217.2

132.8

181.6

10

1.23

780

51

-217.3

135.4

184.2

11

1.23

780

54.38

-217.2

135.9

184.7

12

1.23

780

66.56

-217.4

137.8

186.6

13

1.23

780

63.56

-217.7

137.7

186.5

14

1.23

780

52.31

-217.7

136.0

184.8

15

1.23

780

48

-217.5

135.1

183.9


2.3 क्षैतिज प्रत्यक्षता

89f4b59d2d3cb89cac601c8d4a2c608f

81226c207872f3a40978ff3bcf3e809c



ccf97cf4b22248da914c53aa5a9aa502


ऊर्ध्वाधर दिशा

4bd21633112755c2a01146df4437459c

02556e10e149fc89d3e4f4174b2be159

c37a5872cf6f11eaad0ca05227ef7f8f


हाइड्रोस्टैटी सी पी दबाव परीक्षण

ट्रांसड्यूसर को 4.5MPa/1h, 0MPa/0.25h, 4.5MPa/1h, 0MPa/0.25h हाइड्रोस्टेटिक दबाव परीक्षण के अधीन करने के बाद, ट्रांसड्यूसर के सकारात्मक और नकारात्मक इलेक्ट्रोड के बीच इन्सुलेशन प्रतिरोध 200MΩ से अधिक था।


माप परिणाम:

निरीक्षण के बाद, सभी ट्रांसड्यूसर तकनीकी सूचकांक आवश्यकताओं को पूरा करते हैं।


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गरम उत्पाद

हुबेई हन्नास टेक कंपनी लिमिटेड एक पेशेवर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर निर्माता है, जो अल्ट्रासोनिक प्रौद्योगिकी और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए समर्पित है।                                    
 

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