Piezoelektrisk keramisk PZT-materiale

Når piezoelektrisk platekrystall er dopingkonsentrasjon av piezoelektrisk keramisk materiale Mn er lav, Mn går hovedsakelig inn i krystallgitteret, piezoelektrisk transdusertrykksensor forvrenger krystallgitteret og fremmer sintringen av det piezoelektriske keramiske materialet som fører til kornvekst. Men når Mn-innholdet når en viss verdi, Mn av piezoelektrisk plate dataark samler seg ved korngrensene, fester korngrensene, hindrer veksten av kornene og reduserer kornstørrelsen på prøvene. Det kan også sees fra det sekundære elektronbildet i tverrsnittet av prøven at når Mn-dopingmengden øker, reduseres styrken til den piezoelektriske transduserforskyvningsmålingen fordi de fleste kornene brytes når prøven brytes, noe som kan være relatert til volumet av styrkeeffekten, men den viktigste faktoren kan være Mn-doping. Dielektriske egenskaper til piezoelektrisk skive-ultralydtransformator er X- og tan W-kurver for forskjellige Mn-dopingnivåer ved romtemperatur. Det kan sees fra figuren at inkorporeringen av Mn reduserer X og tan W reduseres når mengden av inkorporeringen øker. Når mengden Mn er doping≤0,4%, som tilhører 'harde' tilsetningsstoffer, kommer Mn inn i gitteret. Prøvene viste akseptordopingegenskaper, slik at prøvens dielektriske konstant ble redusert; når Mn-dopingen er > 0,4 ​​%, høyfrekvent piezoelektrisk krystall går inn i korngrensen, kornstørrelsen avtar og kornfordelingen er også svært ujevn, Dette vil også redusere X og tan W. Større korn reduserer stresset på korngrensene under polarisering og reduserer det dielektriske tapet, som er en av grunnene til at tan W avtar med økende Mn-doping. Curie-temperaturen i dette eksperimentet måles ved å måle den relative dielektrisitetskonstanten X og temperatur T-kurven for å måle TC, kvaternær piezoelektrisk keramikk Tc og d33 og Mn dopingkurve. TCs lov om endring er akkurat det motsatte.