Piezoelektryczny materiał ceramiczny PZT

Gdy ~!phoenix_var125_0!~ ~!phoenix_var125_1!~ Czujnik ciśnienia przetwornika piezoelektrycznego zniekształca sieć krystaliczną i sprzyja spiekaniu piezoelektrycznego materiału ceramicznego, co prowadzi do wzrostu ziaren. However, when the Mn content reaches a certain value, Mn of Arkusz danych płyty piezoelektrycznej gromadzi się na granicach ziaren, unieruchamiając granice ziaren, utrudniając wzrost ziaren i zmniejszając wielkość ziaren próbek. Z obrazu przekroju próbki elektronów wtórnych można również zauważyć, że wraz ze wzrostem ilości domieszki Mn, wytrzymałość pomiaru przemieszczenia przetwornika piezoelektrycznego maleje, ponieważ większość ziaren pęka podczas łamania próbki, co może być związane z wielkością efektu wytrzymałościowego, ale ważniejszym czynnikiem może być domieszkowanie Mn. Dielectric properties of piezoelectric disc ultrasonic transformer are X and tan W curves for different Mn is doping levels at room temperature. It can be seen from the figure that the incorporation of Mn decreases the X and tan W decreases as the amount of incorporation increases. Gdy ilość Mn jest domieszkowana ≤ 0,4%, co należy do „twardych” dodatków, Mn wchodzi do sieci. Próbki wykazywały charakterystykę domieszkowania akceptora, tak że stała dielektryczna próbki spadła; gdy domieszka Mn r > 0,4%, Kryształ piezoelektryczny o wysokiej częstotliwości wchodzi w granicę ziaren, wielkość ziaren zmniejsza się, a rozkład ziaren jest również bardzo nierówny. Spowoduje to również zmniejszenie X i tan W. Większe ziarna zmniejszają naprężenia na granicach ziaren podczas polaryzacji i zmniejszają stratę dielektryczną, co jest jednym z powodów, dla których tan W maleje wraz ze wzrostem domieszkowania Mn. Temperaturę Curie w tym doświadczeniu mierzy się poprzez pomiar względnej stałej dielektrycznej X i krzywej temperatury T w celu pomiaru TC, czwartorzędowej ceramiki piezoelektrycznej Tc oraz krzywej domieszkowania d33 i Mn. Prawo zmian TC jest dokładnie odwrotne.