Quando
il cristallo della piastra piezoelettrica è una concentrazione drogante di materiale ceramico piezoelettrico Mn è basso, Mn entra principalmente nel reticolo cristallino,
Il sensore di pressione del trasduttore piezoelettrico distorce il reticolo cristallino e favorisce la sinterizzazione del materiale ceramico piezoelettrico che porta alla crescita del grano. Tuttavia, quando il contenuto di Mn raggiunge un certo valore, Mn of
La scheda tecnica della piastra piezoelettrica si accumula ai bordi dei grani, fissandoli, ostacolando la crescita dei grani e riducendo la dimensione dei grani dei campioni. Dall'immagine in sezione trasversale dell'elettrone secondario del campione si può anche vedere che all'aumentare della quantità di drogaggio al Mn, la forza della misurazione dello spostamento del trasduttore piezoelettrico diminuisce perché la maggior parte dei grani vengono rotti quando si rompe il campione, il che può essere correlato all'effetto del volume della forza, ma il fattore più importante potrebbe essere il drogaggio al Mn. Le proprietà dielettriche del trasformatore a ultrasuoni a disco piezoelettrico sono curve X e tan W per diversi livelli di drogaggio di Mn a temperatura ambiente. Dalla figura si può vedere che l'incorporazione di Mn diminuisce la X e il tan W diminuisce all'aumentare della quantità di incorporazione. Quando la quantità di Mn è drogante ≤0,4%, che appartiene agli additivi 'duri', Mn entra nel reticolo. I campioni hanno mostrato caratteristiche di drogaggio dell'accettore, in modo che la costante dielettrica del campione diminuisse; quando il drogaggio con Mn r> 0,4%,
il cristallo piezoelettrico ad alta frequenza entra nel bordo del grano, la dimensione del grano diminuisce e anche la distribuzione dei grani è molto irregolare, questo ridurrà anche X e tan W. I grani più grandi riducono lo stress sui bordi del grano durante la polarizzazione e diminuiscono la perdita dielettrica, che è uno dei motivi per cui tan W diminuisce con l'aumento del drogaggio con Mn. La temperatura di Curie in questo esperimento viene misurata misurando la costante dielettrica relativa X e la curva di temperatura T per misurare la curva di drogaggio TC, ceramica piezoelettrica quaternaria Tc e d33 e Mn. La legge del cambiamento di TC è esattamente l'opposto.
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