圧電セラミックスPZT材料

いつ 圧電板状結晶 は圧電セラミック材料のドーピング濃度Mnが低く、主にMnが結晶格子に入り、 圧電トランスデューサ圧力センサーは 結晶格子を歪め、圧電セラミック材料の焼結を促進し、粒成長を引き起こします。ただし、Mn含有量がある値に達すると、Mnの 圧電プレートのデータシートは 粒界に蓄積し、粒界を固定して粒の成長を妨げ、サンプルの粒径を小さくします。また、試料の断面二次電子像から、Mn ドーピング量が増加すると、圧電トランスデューサの変位測定の強度が低下することがわかります。これは、試料を破壊するときにほとんどの粒子が破壊されるためです。これは、強度効果の量に関係している可能性がありますが、より重要な要因は Mn ドーピングである可能性があります。圧電ディスク超音波トランスの誘電特性は、室温でのさまざまな Mn ドーピング レベルに対する X 曲線と Tan W 曲線です。図より、Ｍｎの添加によりＸが減少し、添加量の増加に伴ってｔａｎＷが減少することがわかる。 「ハード」添加剤に属するMnの量がドーピング≦0.4%の場合、Mnは格子に入ります。サンプルはアクセプタドーピング特性を示し、サンプルの誘電率が減少しました。 Mnドーピングr>0.4%の場合、 高周波圧電結晶が 粒界に入り込み、粒径が小さくなり、粒分布も非常に不均一になります。これにより、X とtan W も減少します。粒が大きくなると、分極中の粒界にかかる応力が減少し、誘電損失が減少します。これが、Mn ドーピングの増加に伴って Tan W が減少する理由の 1 つです。この実験におけるキュリー温度は、比誘電率 X と温度 T 曲線を測定して TC、四元圧電セラミックスの Tc と d33、および Mn ドーピング曲線を測定することによって測定されます。 TC の変化の法則はまさにその逆です。