Piezoelektrisk keramisk PZT-materiale

Når piezoelektrisk pladekrystal er dopingkoncentration af piezoelektrisk keramisk materiale Mn er lav, Mn kommer hovedsageligt ind i krystalgitteret, piezoelektrisk transducer tryksensor forvrænger krystalgitteret og fremmer sintringen af ​​det piezoelektriske keramiske materiale, der fører til kornvækst. Men når Mn-indholdet når en vis værdi, Mn af piezoelektriske pladedataark akkumuleres ved korngrænserne, fastgør korngrænserne, hindrer væksten af ​​kornene og reducerer prøvernes kornstørrelse. Det kan også ses på tværsnitsbilledet af sekundære elektroner af prøven, at når Mn-dopingmængden stiger, falder styrken af ​​den piezoelektriske transducerforskydningsmåling, fordi de fleste af kornene brydes, når prøven brydes, hvilket kan være relateret til volumenet af styrkeeffekten, men den vigtigste faktor kan være Mn-doping. Dielektriske egenskaber af piezoelektriske skive-ultralydstransformere er X- og tan W-kurver for forskellige Mn er-dopingniveauer ved stuetemperatur. Det kan ses af figuren, at inkorporeringen af ​​Mn reducerer X og tan W falder, når mængden af ​​inkorporering stiger. Når mængden af ​​Mn er doping≤0,4%, som tilhører 'hårde' additiver, kommer Mn ind i gitteret. Prøverne viste acceptordopingkarakteristika, således at prøvens dielektriske konstant faldt; når Mn-dopingen er > 0,4 ​​%, højfrekvent piezoelektrisk krystal kommer ind i korngrænsen, kornstørrelsen falder og kornfordelingen er også meget ujævn, Dette vil også reducere X og tan W. Større korn reducerer belastningen på korngrænserne under polarisering og mindsker det dielektriske tab, hvilket er en af ​​grundene til at tan W falder med stigende Mn-doping. Curie-temperaturen i dette eksperiment måles ved at måle den relative dielektricitetskonstant X og temperatur T-kurven for at måle TC, kvaternær piezoelektrisk keramik Tc og d33 og Mn-dopingkurven. TC's lov om forandring er præcis det modsatte.