Saya Akhirnya Mencuba Piezoelektrik Ceramic Sensor Selama Seminggu Dan Inilah Yang Berlaku

 Pensinteran suhu rendah bagi transduser piezoelektrik bermula pada penghujung 1960-an. Menjalankan kajian awal mengenai pengurangan suhu pensinteran bahan piezoelektrik PZT selepas penambahan komponen pada tahun 1968. Menjelang akhir 1970-an, S. Takahashi Jepun mengkaji ciri-ciri bunyi trans Naduzoelektrik PZT yang ditambah kepada siF2. PZT, suhu pensinteran boleh dikurangkan kepada 800°C. Sejak tahun 1980-an, para sarjana di dalam dan luar negara menjalankan penyelidikan meluas mengenai pensinteran suhu rendah bagi seramik piezoelektrik frekuensi resonans piezoelektrik. Pada tahun 1981, bahan seramik piezoelektrik DE Whittmer PZT Amerika Syarikat didop dengan V2O5 dan penggunaan serbuk kopresipitasi kimia kimia, pensinteran suhu piezoelektrik 0, pensinteran suhu piezoelektrik 0 8 960 DEG C. Pada tahun 1986, syarikat Motorola SY Cheng et al. Mengkaji penambahan takat lebur rendah Li2CO3, Na2CO3, B2O3 dan Bi2O3 kepada PZTN (niobium plumbum zirkonat titanat) adalah untuk mendapatkan lembaran cakera piezo yang lebih praktikal rumusan bahan pensinteran suhu rendah dan secara teorinya menerangkan Mekanisme pensinteran suhu rendahnya. Pada tahun 1985, Li Long et al. Daripada Universiti Tsinghua menambahkan frit kaca lebur rendah B-Bd-Cd pada sistem binari PZT dan membangunkan formulasi bahan dengan prestasi baik yang disinter pada 960 ℃. Dan membangunkan sistem ternary PNN-PZT piezo disc pickup (niobium nickel-plumbum zirkonat titanat) dan sistem kuaterna PMN-PNN-PZT dengan bahan tambahan pensinteran suhu rendah seperti CdO dan SiO2 .Bahan piezoelektrik bukan sahaja mengurangkan suhu pensinteran kira-kira 300 ~ 400elektrik pielektrik, tetapi juga meningkatkan sifat elektrostatik antara 300 ~ 400 ℃. mereka, pengubah piezoelektrik berlamina diperbuat daripada seramik binari PZT tersinter suhu rendah .piezoelektrik telah dimasukkan ke dalam aplikasi praktikal. Pada tahun 1992, Universiti Sains dan Teknologi China Selatan, Xiong Maoren et al adalah penggunaan komponen keempat PZT -BiFeO3-MCX yang diubah suai suhu (di mana M ialah Ba2 +, Sr2 +, Pb2 +, X ialah Nb5 +, W6 +, C ialah Cu 2+) bahan piezoelektrik kuaternari berprestasi rendah dan bahan piezoelektrik berprestasi rendah telah dikaji, dan bahan piezoelektrik kuaternari berprestasi rendah dan praktikal telah dikaji. rumusan bahan seramik.Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, daripada formula dan proses pada bahan seramik piezoelektrik PZT yang diubah suai, teknologi pensinteran suhu rendah penjana silinder piezo telah dikaji secara sistematik, bukan sahaja untuk mengoptimumkan perumusan dan proses bahan untuk mendapatkan ciri piezoelektrik voltan tinggi bahan piezoelektrik suhu rendah dan nisbah zirkoelektrik suhu rendah, dan bahan ubah suaian bahan piezoelektrik zirkonium, dan bahan substitution. Teknologi dan banyak faktor lain pada PZT adalah untuk mencapai kesan pensinteran suhu rendah yang mempunyai pengetahuan baharu.