Kokeilin vihdoin pietsosähköistä keraamista anturia viikon ajan ja näin tapahtui

 Pietsosähköisen muuntimen matalan lämpötilan sintraus alkoi 1960-luvun lopulla. Teki alustavan tutkimuksen PZT-pietsosähköisten materiaalien sintrauslämpötilan alenemisesta komponenttien lisäämisen jälkeen vuonna 1968. 1970-luvun lopulla japanilainen S. Takahashi tutki matalien lämpötilojen vuorovaikutusF-transducer-ominaisuuksia. Ääni lisätään PZT:hen, sintrauslämpötila voidaan laskea 800 °C:seen. 1980-luvulta lähtien tutkijat kotimaassa ja ulkomailla ovat tehneet laajaa tutkimusta resonanssitaajuisen pietsosähköisen keramiikan sintraamisesta matalassa lämpötilassa. Vuonna 1981 Yhdysvalloissa DE Whittmer PZT pietsosähköiset keraamiset materiaalit seostetaan V2O5:lla ja kemiallisen yhteissaostusjauheen käyttö on PZ:stä. 1280 - 960 C. Vuonna 1986 Motorola-yhtiö SY Cheng et al. Matalan sulamispisteen Li2CO3:n, Na2CO3:n, B2O3:n ja Bi2O3:n lisäämisen tutkiminen PZTN:ään (niobiumlyijyzirkonaattititanaatti) on saada pietsolevyn tietolomake, joka on käytännöllisempi matalan lämpötilan sintrausmateriaalien formulaatiot ja joka selittää teoriassa sen matalan lämpötilan sintrausmekanismin. Tsinghuan yliopisto lisäsi B-Bd-Cd matalassa lämpötilassa sulavaa lasisulatetta PZT:n binäärijärjestelmään ja kehitti materiaalikoostumuksen, jolla on hyvä suorituskyky sintrattu 960 ℃:ssa. Ja kehitetään PNN-PZT pietsosähköinen poiminta (niobium-nikkeli-lyijyzirkonaattititanaatti) kolmiosainen järjestelmä ja PMN-PNN-PZT kvaternäärinen järjestelmä, jossa on matalan lämpötilan sintrauslisäaineita, kuten CdO ja SiO2. Pietsosähköiset materiaalit eivät ainoastaan alenna sintrauslämpötilaa n. 40,00 ℃, vaan myös parantavat sintrauslämpötilaa n. Pietsosähköisten levyjen ominaisuudet. Niiden joukossa laminoitu pietsosähköinen muuntaja on valmistettu matalassa lämpötilassa sintratusta PZT-binäärisestä .pietsosähköisestä keramiikasta on otettu käytännön käyttöön. Vuonna 1992 Etelä-Kiinan tiede- ja teknologiayliopisto, Xiong Maoren et al on lämpötilamodifioidun PZT -BiFeO3-MCX (jossa M on Ba2 +, Sr2 +, Pb2 +, X on Nb5 +, W6 +, C on Cu 2+) neljännen komponentin käyttö on tutkittu kvaternääristä pietsosähköistä suorituskykyä ja saatujen alhaisten materiaalien käytännöllistä arvoa. pietsosähköisten keraamisten materiaalien formulaatiot. Viime vuosina modifioitujen PZT-pietsosähköisten keraamisten materiaalien kaavasta ja prosessista on tutkittu systemaattisesti pietsosylinterigeneraattorin matalan lämpötilan sintraustekniikkaa, ei vain materiaalin koostumuksen ja prosessin optimoimiseksi korkeajännitteisten pietsosähköisten materiaalien, alilämpöisten materiaalien, tzirnium-pietsosähköisten materiaalien ominaisuudet. dopingin muutos. Teknologia ja monet muut tekijät PZT on saavuttaa vaikutus matalan lämpötilan sintraus, joka on uutta tietoa.