Kokeilin vihdoin pietsosähköistä keraamista anturia viikon ajan ja näin tapahtui

 Pietsosähköisen muuntimen matalan lämpötilan sintraus alkoi 1960-luvun lopulla. Teki alustavan tutkimuksen PZT-pietsosähköisten materiaalien sintrauslämpötilan alenemisesta komponenttien lisäämisen jälkeen vuonna 1968. 1970-luvun lopulla japanilainen S. Takahashi tutki matalien lämpötilojen vuorovaikutusF-transducer-ominaisuuksia. Ääni lisätään PZT:hen, sintrauslämpötila voidaan laskea 800 °C:seen. 1980-luvulta lähtien tutkijat kotimaassa ja ulkomailla ovat tehneet laajaa tutkimusta resonanssitaajuisen pietsosähköisen keramiikan sintraamisesta matalassa lämpötilassa. Vuonna 1981 Yhdysvalloissa DE Whittmer PZT pietsosähköisiä keraamisia materiaaleja seostetaan V2O5:lla ja kemiallisen yhteissaostuslämpötilan käyttö on PZ:stä. 1280 - 960 C. Vuonna 1986 Motorola-yhtiö SY Cheng et al. Matalan sulamispisteen Li2CO3:n, Na2CO3:n, B2O3:n ja Bi2O3:n lisäämistä PZTN:ään (niobium-lyijyzirkonaattititanaatti) tutkimalla on saada pietsosintrausmateriaalia, joka on käytännöllisempi matalan lämpötilan sintrausmateriaalien formulaatiot ja joka selittää teoreettisesti sen matalan lämpötilan sintrausmekanismin. Tsinghuan yliopisto lisäsi matalassa lämpötilassa sulavaa B-Bd-Cd lasifrittiä PZT:n binäärijärjestelmään ja kehitti materiaalikoostumuksen, jolla on hyvä suorituskyky sintrattu 960 ℃:ssa. Ja kehittämällä PNN-PZT pietsosähköinen poiminta (niobium-nikkeli-lyijyzirkonaattititanaatti) kolmiosainen järjestelmä ja PMN-PNN-PZT kvaternäärinen järjestelmä matalan lämpötilan sintrauslisäaineilla, kuten CdO ja SiO2. Pietsosähköiset materiaalit eivät ainoastaan alenna sintrauslämpötilaa noin 40,00 ℃. Pietsosähköisten levyjen ominaisuudet. Niiden joukossa laminoitu pietsosähköinen muuntaja on valmistettu matalassa lämpötilassa sintratusta PZT-binäärisestä .pietsosähköisestä keramiikasta on otettu käytännön käyttöön. Vuonna 1992 Etelä-Kiinan tiede- ja teknologiayliopisto, Xiong Maoren et al on lämpötilamodifioidun PZT -BiFeO3-MCX neljännen komponentin käyttö (jossa M on Ba2 +, Sr2 +, Pb2 +, X on Nb5 +, W6 +, C on Cu 2+) kvaternääristä pietsosähköistä suorituskykyä on tutkittu ja saatujen alhaisten materiaalien käytännöllinen arvo. Pietsosähköisten keraamisten materiaalien formulaatiot. Viime vuosina modifioitujen PZT-pietsosähköisten keraamisten materiaalien kaavasta ja prosessista on tutkittu systemaattisesti pietsosylinterigeneraattorin matalan lämpötilan sintraustekniikkaa, ei vain materiaalien koostumuksen ja prosessin optimoimiseksi korkeajännitteisten pietsosähköisten ominaisuuksien saamiseksi matalan lämpötilan materiaaleista, tzirniumpietsosähköisistä materiaaleista ja alilämpötilasta. dopingin muutos. Teknologia ja monet muut tekijät PZT on saavuttaa vaikutus matalan lämpötilan sintraus, joka on uutta tietoa.