Я нарэшце паспрабаваў п'езаэлектрычны керамічны датчык на працягу тыдня, і вось што здарылася

 Нізкотэмпературнае спяканне п'езаэлектрычнага пераўтваральніка пачалося ў канцы 1960-х гадоў. Правёў папярэдняе даследаванне па зніжэнні тэмпературы спякання п'езаэлектрычных матэрыялаў PZT пасля дадання кампанентаў у 1968 годзе. У канцы 1970-х японец С. Такахашы вывучыў характарыстыкі нізкатэмпературнага спякання п'езаператваральніка PbF2-NaF гук, дададзены ў PZT, тэмпература спякання можа быць зніжана да 800°C. З 1980-х гадоў навукоўцы ў краіне і за мяжой праводзілі шырокія даследаванні нізкатэмпературнага спякання п'езаэлектрычнай керамікі з рэзананснай частатой. У 1981 г. ЗША DE Whittmer PZT п'езаэлектрычныя керамічныя матэрыялы легіраваны V2O5 і выкарыстанне парашка хімічнага саасаджэння, тэмпература спякання паяння п'езадыскаў PZT складае ад 1280 да 960°C. У 1986 г. кампанія Motorola SY Cheng et al. Вывучэнне дабаўлення Li2CO3, Na2CO3, B2O3 і Bi2O3 з нізкай тэмпературай плаўлення ў PZTN (тытанат свінцу ніобію) з'яўляецца атрыманнем табліцы дадзеных п'езадыска, якая з'яўляецца больш практычным складам матэрыялаў для нізкатэмпературнага спякання і тэарэтычна растлумачыла яго механізм спякання пры нізкай тэмпературы. У 1985 г. Лі Лонг і інш. Універсітэт Цінхуа дадаў лёгкаплаўкую шкляную фрыту B-Bd-Cd у двайковую сістэму PZT і распрацаваў склад матэрыялу з добрымі характарыстыкамі, спечаны пры 960 ℃. А таксама распрацоўка трохчасткавай сістэмы п'езадыскавага гуказдымальніка PNN-PZT (цітанат цырканата ніобію, нікелю і свінцу) і чацвярцічнай сістэмы PMN-PNN-PZT з дадаткамі для нізкатэмпературнага спякання, такімі як CdO і SiO2. П'езаэлектрычныя матэрыялы не толькі зніжаюць тэмпературу спякання прыкладна на 300 ~ 400 ℃, але і паляпшаюць электрод уласцівасці п'езаэлектрычнага дыска. Сярод іх ламінаваны п'езаэлектрычны трансфарматар выраблены з нізкатэмпературнай спеченной бінарнай керамікі PZT. П'езаэлектрычная кераміка знайшла практычнае прымяненне. У 1992 годзе ў Паўднёва-Кітайскім універсітэце навукі і тэхналогій Сюн Маорэн і інш даследавалі выкарыстанне чацвёртага кампанента мадыфікаванага тэмпературы PZT -BiFeO3-MCX (дзе М - гэта Ba2 +, Sr2 +, Pb2 +, X - Nb5 +, W6 +, C - Cu 2+) чацвярцічных п'езаэлектрычных матэрыялаў і атрымалі выдатную прадукцыйнасць і практычнае значэнне нізкатэмпературнага спякання. фармулёўкі п'езаэлектрычных керамічных матэрыялаў. У апошнія гады, пачынаючы з формулы і працэсу мадыфікаваных п'езаэлектрычных керамічных матэрыялаў PZT, тэхналогія нізкатэмпературнага спякання п'езацыліндравага генератара сістэматычна вывучалася не толькі для аптымізацыі складу матэрыялу і працэсу для атрымання высакавольтных п'езаэлектрычных уласцівасцей нізкатэмпературных п'езаэлектрычных матэрыялаў і матэрыялаў з суадносінамі цырконія і тытана, замена і мадыфікацыя допінгу. Тэхналогія і многія іншыя фактары на PZT з'яўляецца дасягненне ўздзеяння нізкатэмпературнага спякання, які мае новыя веды.