低温焼結法

現在、低温焼結法は、 圧電トランスデューサのデータシートは 、sol-gl、ホットプレス、超微粉末調製、およびフラックス法です。目的は、焼結温度を下げることです。 ピエゾエナジーハーベスティング。実験結果は、最高の圧電特性が950℃の低温で合成されることを示しています。たとえば、Li2O の質量分率が 0.1% ～ 7%、0.022 の場合、d33、k33、kp、tanδ の最適値は 565pc / N です。xPb、zPb をマトリックスとし、ZnO、Li2CO3、CdO などをドープして、調製した PMN-PNN-PZT 圧電セラミックを 900 ℃で焼結します。 圧電セラミック発電機は 依然として良好な圧電特性を持っています。性能向上には、共沈法、塩溶解法、ゾルゲル法、水熱法などの最も根本的な改善法であるドーピングフラックスを使用します。しかし、これらの方法の欠点は、PbO が揮発しやすいため、第 2 段階が発生することと、その製造プロセスが困難になることです。 ピエゾ管の水晶は難しいです。これらの欠点を克服するために、焼成法、ペロブスカイト添加剤の添加など、いくつかの方法が提案されています。高密度、高圧電特性、低誘電損失を有するPMNおよびPFN圧電セラミックスを2段階焼結法により800℃および830℃の低温で作製することに成功した。これ 電子圧電チューブは 酸化鉛の揮発を減らすだけでなく、第二段階を引き起こさず、エネルギーも節約します。 CHUは論文の中で、特に従来の低温焼結法を評価し、ペロブスカイト低温焼結添加剤を提案し、実験によって検証した。実験方法は以下の通りである:BiFeO3とBaを0.25Pb〜0.75Pb添加し、850℃および950℃でPNFePNベースの圧電円筒トランスデューサを合成した。従来の圧電セラミックと比較して、PNN-PZT-A ベースのセラミックは焼結温度が 300 ～ 350 ℃低くなり、良好な誘電特性を備えています。低温焼結も多層圧電セラミックスにとって重要な役割を果たします。