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5khz-12khz ब्रॉडबैंड FRR ट्रांसमीटर रिंग-प्रकार ट्रांसड्यूसर बड़ी गहराई ध्वनिक ट्रांसड्यूसर

5khz-12khz ब्रॉडबैंड FRR ट्रांसमीटर रिंग-प्रकार ट्रांसड्यूसर बड़ी गहराई ध्वनिक ट्रांसड्यूसर
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  • पीज़ोहन्नास

5khz-12khz ब्रॉडबैंड FRR ट्रांसमीटर रिंग-प्रकार ट्रांसड्यूसर बड़ी गहराई ध्वनिक ट्रांसड्यूसर

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 माप सामग्री:


1.1. चालकता और संवेदनशीलता वक्र: ट्रांसड्यूसर की चालकता और संवेदनशीलता वक्र को मापना।


1.2. संचारण प्रतिक्रिया: ट्रांसड्यूसर की वोल्टेज संचारण प्रतिक्रिया को 5kHz से 12kHz तक मापना, 8kHz पर न्यूनतम 144dB के साथ।


1.3. स्रोत स्तर: ट्रांसड्यूसर की गुंजयमान आवृत्ति पर स्रोत स्तर 195dB से कम नहीं होना चाहिए।


1.4. क्षैतिज दिशा: सर्वदिशात्मक, 8kHz पर मापा गया।


1.5. लंबवत दिशा: अर्ध-स्थान, 8kHz पर माप की आवृत्ति बिंदु।


1.6. हाइड्रोस्टैटिक दबाव: 60 एमपीए।


2. माप डेटा: दो ट्रांसड्यूसर मापा गया, और ध्वनिक प्रदर्शन इस प्रकार है।

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202601#

202602#

एफ/केएचजेड

जी/एमएस

बी/एमएस

जी/एमएस

बी/एमएस

5

0.769

4.960

0.930

4.988

5.5

1.055

5.718

1.462

5.681

6

1.824

6.336

2.211

5.958

6.5

2.551

6.495

3.007

6.004

7

3.774

6.475

4.081

5.204

7.5

4.658

5.384

3.320

4.076

8

3.113

3.549

2.073

4.150

8.5

1.672

4.426

1.655

4.857

9

1.398

5.284

1.519

5.387

9.5

1.276

5.766

1.416

5.729

10

1.101

6.220

1.228

6.062

10.5

0.901

6.751

1.008

6.577

11

0.926

7.249

1.041

6.951

11.5

0.829

7.673

0.899

7.384

12

0.747

8.141

0.819

7.828

प्रतिक्रिया संचारित करना (डीबी)

एफ/केएचजेड

202601#

202602#

5

140.6

140.1

6

145.8

146.2

7

145.8

146.4

8

145.7

144.2

9

142.7

139.1

10

140.2

137.5

11

138.3

138.6

12

136.6

137.1

स्रोत स्तर


एफ/केएचजेड

डी/एम

यू ट्रांसमिटिंग/वीपीपी

यू रिसीविंग/एमवीपीपी

एम0/डीबी

एसवीएल/डीबी

एसएल/डीबी

202601#

7.5

3

860

82

-217

146.1

195.8

202602#

7

3

830

82

-217

146.4

195.8


क्षैतिज दिशा


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db067449-4809-4524-b285-5abcc958787c


लंबवत दिशा


2-1



2-2




हाइड्रोस्टैटिक दबाव परीक्षण :

1 घंटे के लिए 60 एमपीए, 0.25 घंटे के लिए 0 एमपीए और 1 घंटे के लिए 60 एमपीए पर हाइड्रोस्टेटिक दबाव परीक्षण से गुजरने के बाद, ट्रांसड्यूसर के सकारात्मक और नकारात्मक टर्मिनलों के बीच इन्सुलेशन प्रतिरोध 100 एमए से अधिक हो जाता है।。


माप परिणाम

ट्रांसड्यूसर पुष्टि के बाद तकनीकी विशिष्टताओं को पूरा करता है।


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गरम उत्पाद

हुबेई हन्नास टेक कंपनी लिमिटेड एक पेशेवर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर निर्माता है, जो अल्ट्रासोनिक प्रौद्योगिकी और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए समर्पित है।                                    
 

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टेलीफोन: +86 07155272177
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