पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सेंसर की पृष्ठभूमि को समझना

कम तापमान वाले सिंटरिंग पर घरेलू और विदेशी शोध पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक की ऊर्जा संचयन प्लेट के निम्नलिखित निष्कर्ष हैं: (1) सिंटरिंग तापमान को कम करने के लिए ठोस घोल का निर्माण पीजो विस्तार सेंसर , आयन विस्थापन कुछ शर्तों के तहत किया जाना है और संरचनात्मक दोष सीमित हैं, इसलिए शीतलन दर 200 डिग्री सेल्सियस के बारे में बड़ी नहीं है। (2) सिंटरिंग तापमान को कम करने का प्रभाव स्पष्ट है, लेकिन तरल चरण उत्पाद सिरेमिक माइक्रोस्ट्रक्चर में रहता है। पीज़ोइलेक्ट्रिक सेंसर सर्किट तरल चरण बनाकर ऐसे कम पिघलने बिंदु वाले उत्पाद की उपस्थिति यांत्रिक शक्ति, ढांकता हुआ गुणों और का कारण बनती है पीजो डिस्क वायर लीड पीजोइलेक्ट्रिसिटी (3) रासायनिक संश्लेषण विधि का उपयोग करते समय सिंटरिंग तापमान अभी भी 1 000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर है। सामग्री की इसके अलावा, समाधान में विभिन्न धातु आयनों की अलग-अलग यौगिक क्षमता के कारण, यौगिक पृथक्करण होता है पीज़ोइलेक्ट्रिक सिलेंडर निर्जलीकरण या कैल्सीनेशन प्रक्रिया के दौरान हो सकता है। अन्य यौगिकों के बारे में, हम देख सकते हैं कि सभी कच्चे माल रासायनिक संश्लेषण द्वारा तैयार नहीं किए जा सकते हैं। (4) अल्ट्रासोनिक वायु ट्रांसड्यूसर की गर्म दबाने वाली सिंटरिंग प्रक्रिया अनाज अभिविन्यास का उत्पादन करेगी, ताकि मोल्ड कूलिंग में चीनी मिट्टी के शरीर की दिशा के पीजोइलेक्ट्रिक गुण अधिक आंतरिक तनाव पैदा कर सकें, पीजोइलेक्ट्रिक गुणों को प्रभावित कर सकें, और सिंटरिंग तापमान बहुत कम न हो सके। (5) कम पिघलने बिंदु योजक 'डबल इफेक्ट' पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर क्रिस्टल का उपयोग सामग्री पीजोइलेक्ट्रिक प्रदर्शन को बढ़ाते हुए सिंटरिंग तापमान को काफी कम कर सकता है, और कम लागत, सरल प्रक्रिया, कम तापमान को लागू करने का एक तरीका है जो पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक को सिंटरिंग करना बेहतर है।