3एम गहराई के लिए 1 मेगाहर्ट्ज पिज़ोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर गहराई माप

3एम गहराई के लिए 1 मेगाहर्ट्ज पिज़ोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर गहराई माप 

तकनीकी मापदंड:

सामान	तकनीकी मापदंड		छवि
नाम	1 मेगाहर्ट्ज अल्ट्रासोनिक टी ट्रांसड्यूसर
नमूना	PHYW-1M-02M
आवृत्ति	1 मेगाहर्ट्ज ± 5%
पता लगाने की दूरी	0.05 ～ 3मी
न्यूनतम समानांतर लैंपडांस	40Ω±20 %
समाई	1450pF±20 % @1KHz
संवेदनशीलता	नो  ड्राइविंग वोल्टेज : 24V、 दूरी : 0.3 मी、 प्रतिध्वनि आयाम : 1000 वी
ऑपरेटिंग  वोल्टेज	चोटी वोल्टेज ＜ 300VPP
ऑपरेटिंग  तापमान	-40～ +80℃
दबाव	≤ 3 किलो या 0.3 एमपीए
कोण	(बीमविड्थ )आधा-शक्ति बीम चौड़ाई @-3dB: 4.6°±1 0%， तीव्र कोण : 10.7°± 10%
आवास सामग्री	अनुकरणीय
प्रयोग	गहराई माप...
इंस्टालेशन आयाम	के अनुसार उत्पाद संरचना आरेख
सुरक्षा स्तर	आईपी68
वज़न	11g±5 ％（ लंबाई ： 15 सेमी ）
वायरिंग निर्देश	सफ़ेद+ ，काला - (तापमान सेंसर वैकल्पिक है)
प्रवेश वक्र		उत्पाद संरचना आरेख

अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर का ब्लॉक आरेख:

तापमान सेंसर का योजनाबद्ध आरेख  (मॉडल: MF58_502F3470) :


एकीकृत प्रकार केबल निर्देश:   

1. ट्रांसड्यूसर के वायरिंग निर्देश: इंटरफ़ेस (3 पिन, 2.54 मिमी टर्मिनल)
लाल: ट्रांसड्यूसर +      
सफेद: ट्रांसड्यूसर -         
काला: परिरक्षण


2. केबल तापमान सेंसर के निर्देश: इंटरफ़ेस (3 पिन, 2.0 मिमी टर्मिनल)

लाल और काले तापमान सेंसर वायरिंग हैं

स्प्लिट प्रकार: मानक 10 मीटर केबल, प्रत्येक अतिरिक्त 50 मीटर केबल के साथ, सिग्नल क्षीणन 6dB है

तीन-कोर वायरिंग निर्देश:                
                        
    लाल: ट्रांसड्यूसर +
     नीला: तापमान सेंसर +
     काला: सार्वजनिक-

 चार-कोर वायरिंग निर्देश:

लाल: ट्रांसड्यूसर +                       
पीला: ट्रांसड्यूसर-
नीला, काला: तापमान सेंसर