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PHA-100-03H
पीज़ोहन्नास
PHA-100-03H
दूरी माप के लिए 100Khz अल्ट्रासोनिक लेवल ट्रांसड्यूसर सेंसर
तकनीकी मापदंड:
सामान |
तकनीकी मापदंड |
छवि |
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नाम |
100KHz अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर |
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नमूना |
पीएच ए-10 0-03एच |
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आवृत्ति |
100KHz± 5% |
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पता लगाने की दूरी |
0.15~ 3मी |
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न्यूनतम समानांतर लम्बाई |
350%~!phoenix_var196_1!~ |
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950पीएफ±20 % @1KHz |
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संवेदनशीलता |
नो-लोड ड्राइविंग वोल्टेज : 300वीपीपी ,दूरी : 0.3मी, इको आयाम : 80एमवी |
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चोटी वोल्टेज < स्तर ट्रांसड्यूसर ा�स पेपर में शोध कार्य के आधार पर, प्रतिरोध अधिष्ठापन और प्रतिरोध करपेसिटेंस सर्किट के साथ पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के समानांतर युग्मन की भिगोना विशेषताओं का एक सैद्धांतिक मॉडल स्थापित,किया गया है, और सैद्धांतिक मॉडल को ब्रैकट प्रणाली के आधार पर सत्यापित किया गया है, जो निष्क्रिय िट होते हैं, तो पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक की सामग्री भिगोना विशेषता मॉडल प्राप्त किया जा सकत�्है: पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक की भिगोना विशेषताएं और पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के इलेक्ट्र��मैकेनिकल युग्मन गुणांक, कार्य आवृत्ति और कंपन कारक सभी संबंधित हैं। समानांतर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक की भिगोना विशेषताएँ कई का�800~!phoenix_var205_2!~ |
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-40~ स℃ |
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≤3 किलो या 0.3 एमपीए |
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(बीमविड्थ ) आधी शक्ति बीम चौड़ाई @-3dB: 9°±2, तीव्र कोण : 21°±4 |
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आवास सामग्री |
पोम |
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प्रयोग |
संरचना आरेख देखें |
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आईपी68 |
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सुरक्षा स्तर |
17जी±5 %(लंबाई : 20 सेमी ) |
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वज़न |
एकीकृत इंटरफ़ेस :लाल: ट्रांसड्यूसर + ,सफेद : ट्रांसड्यूसर -, काला: परिरक्षित तार , ( तापमान सेंसर वैकल्पिक है ) |
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प्रवेश वक्र |
उत्पाद संरचना आरेख |
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अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर का ब्लॉक आरेख:

तापमान सेंसर का योजनाबद्ध आरेख:

एकीकृत प्रकार केबल निर्देश:
1. ट्रांसड्यूसर का वायरिंग निर्देश: इंटरफ़ेस (3पिन, 2.54 मिमी टर्मिनल)
लाल: ट्रांसड्यूसर +
सफेद: ट्रांसड्यूसर -
काला: परिरक्षण

अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर की आंतरिक संरचना:

