روش پخت سرامیک های پیزوالکتریک

علاوه بر این یک شار برای کاهش دمای پخت. سه نوع روش تف جوشی با دمای پایین برای مبدل سرامیکی پیزوالکتریک در مواد پایه وجود دارد: اولین روش کاهش دمای تف جوشی با تشکیل محلول جامد است و جایگزینی یونی شبکه را مخدوش می کند، که باعث افزایش عیوب ساختاری می شود، به طوری که انتشار یون ها را افزایش می دهد و باعث می شود فرآیند تف جوشی از طریق سنسور دمای کار کاهش یابد. تف جوشی فاز مایع. بازآرایی دانه و تماس تقویتی در تف جوشی فاز مایع می تواند تحرک مرز دانه را بهبود بخشد به طوری که منافذ به طور کامل تخلیه می شوند تا رشد دانه را افزایش دهند و چگالی بدنه چینی را افزایش دهند تا به هدف کاهش دمای تف جوشی اولتراسونیک هایفو بهبود عملکرد مایع پیزوالکتریک از طریق روش سوم سینت کاهش یابد. تف جوشی. افزودنی با نقطه ذوب پایین کریستال پیزو اولتراسوند ابتدا در طی فرآیند تف جوشی شکل می گیرد. فاز مایع باعث افزایش پخت در فاز زینترینگ می شود، زیرا فاز نهایی دوباره به فاز بلوری اصلی باز می گردد. این 'اثر مضاعف' افزودنی‌های نقطه ذوب پایین، دمای پخت را به میزان 250-300 درجه سانتی‌گراد کاهش می‌دهد و عملکرد روش سنتز شیمیایی زیادی را بهبود می‌بخشد تا دمای زینترینگ را برای سنتزهای مختلف کاهش دهد. سرامیک، اما سرعت خنک شدن محدود است، دمای پخت هنوز بالاتر از 1000 درجه سانتیگراد است. پرس داغ دمای تف جوشی را کاهش می دهد، پرس گرم تف جوشی می تواند قدرت تف جوشی را افزایش دهد، که منجر به گسترش روزنه یا جاهای خالی از مرز دانه به بدنه سرامیکی می شود، کریستال پیزو برای چاقوی اولتراسونک چگالی بدنه سرامیکی را بهبود می بخشد و دمای زینترینگ را کاهش می دهد. دمای پخت 150-200 ℃ است و عملکرد را بهبود می بخشد.