علاوه بر این یک شار برای کاهش دمای پخت. سه نوع روش تف جوشی با دمای پایین برای مبدل سرامیکی پیزوالکتریک در مواد پایه وجود دارد: اول کاهش دمای تف جوشی با تشکیل یک محلول جامد، و جایگزینی یونی شبکه را مخدوش می کند، که باعث افزایش عیوب ساختاری می شود، به طوری که انتشار یون ها را افزایش می دهد و باعث افزایش فرآیند تف جوشی از طریق سنسور دمای کار می شود. تف جوشی فاز مایع. بازآرایی دانه و تماس تقویتی در تف جوشی فاز مایع می تواند تحرک مرز دانه را بهبود بخشد به طوری که منافذ به طور کامل تخلیه می شوند تا رشد دانه را افزایش دهند و چگالی بدنه چینی را افزایش دهند تا به هدف کاهش دمای تف جوشی اولتراسونیک هایفو بهبود عملکرد مایع پیزوالکتریک از طریق سومین روش سینتر بهبود یابد. زینترینگ. افزودنی با نقطه ذوب پایین کریستال پیزو اولتراسوند ابتدا در طی فرآیند تف جوشی شکل می گیرد. فاز مایع باعث افزایش پخت در مرحله زینترینگ می شود، زیرا فاز نهایی به فاز کریستالی اصلی باز می گردد. این 'اثر مضاعف' افزودنی‌های نقطه ذوب پایین دمای پخت را به میزان 250-300 درجه سانتیگراد کاهش می‌دهد و عملکرد روش سنتز شیمیایی زیادی را بهبود می‌بخشد تا دمای پخت را برای سنتزهای مختلف کاهش دهد. سرامیک، اما سرعت خنک شدن محدود است، دمای پخت هنوز بالاتر از 1000 درجه سانتیگراد است. پرس داغ دمای تف جوشی را کاهش می دهد، پرس گرم تف جوشی می تواند قدرت تف جوشی را افزایش دهد، که منجر به گسترش روزنه یا جاهای خالی از مرز دانه به بدنه سرامیکی می شود، کریستال پیزو برای چاقوی اولتراسونک چگالی بدنه سرامیکی را بهبود می بخشد و دمای زینترینگ را کاهش می دهد. دمای پخت 150-200 ℃ است و عملکرد را بهبود می بخشد.
