Як вибрати найкращі п'єзокристали

П'єзоелектрична кераміка включає сегнетоелектричну та антисегнетоелектричну кераміку з багатою кальцієм рудною структурою, яка є основою п'єзоелектричної кераміки, яка використовується з октоатом барію, октоатом свинцю, октоатом свинцю, октоатом міді, подібною до складної структури кальцію або містить сегнетоелектричний діелектрик, нігрол свинцю та суміш на основі лугу. Найцінніший кристал із п’єзоелектричною трубкою для збору енергії широко використовується для неправильного оксиду, який є різнокольоровою керамікою, що складається з кількох полікристалічних, аморфних і надувних пор. П'єзоелектричні властивості зумовлені локальним регулярним розташуванням моментів сегнетоелектричних мікродоменів базової фази. Найбільш широко використовуваний п'єзоелектричний дисковий перетворювач Pzt є п'єзоелектричною керамікою на основі неправильно обробленого оксиду свинцю - це багатобарвна кераміка, що складається з кількох полікристалічних, аморфних і надувних пор. Властивості п’єзоелектричних пластин п’єзоелектричних матеріалів Pzt зумовлені локальним регулярним розташуванням моментів сегнетоелектричних мікродоменів основної фази. У середині 1970-х років відбулося надзвичайне зростання інтересу до функціональних сегнетоелектричних п’єзоелектричних дискових датчиків та продуктів, виготовлених з них. В останні роки деякі компанії в Японії займаються виробництвом п'єзокераміки, а керамічні конденсатори подвоюють обсяг виробництва кожні 2-3 роки. П’єзоелектричній кераміці вдалося надати попередньо визначену форму, розмір і природу (у певному діапазоні, проте ультразвуковий п’єзодисковий кварц із шарами вісмуту має свої недоліки: по-перше, коерцитивне поле (Ec) є занадто високим, що не сприяє поляризації; по-друге, п’єзоелектрична активність низька, питомий опір низький. Щоб подолати ці два типи дефектів переважно приймають високотемпературну поляризацію, оскільки коерцитивне поле п’єзоелектричного керамічного дискового перетворювача зменшується зі збільшенням температури та модифікацією легування. Щоб отримати високий імпеданс, Nb5 + і V5 + леговані Bi4Ti3O12 (BIT). Щільності BITN (Bi4Ti3-xNbxO12) і BITV (Bi4Ti3-xVxO12) досягає понад 95% від теоретичних; питомий опір BIT становить 1010 ~ 1011 Ψ см, тоді як BITN і BITV становлять близько 1013 ~ 1014Ψ см; Tc 650 ℃, k33 0,39. Крім того, Bi3TiTaO9 (BT T) на основі легування, результати Qm становлять до 13 500. Ці властивості датчика п’єзокристалічного ехолота визначають шар вісмутової кераміки, придатний для високотемпературних датчиків, осциляторів і фільтрів тощо. Lian Zhang et al. додали Nb2O5 до Bi4 Ti3O12 для формування шаруватого Bi4 Ti3-x Nbx O12 + x / 2 (BiTN) використовували для дослідження властивостей п’єзокераміки при низька температура від 0 до 0,220. Результати показують, що всі зразки мають щільність 95% від теоретичного значення, і друга фаза не утворюється. Nb5 + Різні зерна зменшують анізотропний ріст при 0,08 і 0,11, кераміка має найкращі властивості: висока kp (0,36; 0,35), d33 (19,18PC / Q 2 (2) 348; 2 492), tan δ (2,3; 2,2%), ε / ε 0 (181 199) і т. д. Для безсвинцевої п'єзокераміки з перовскітною структурою, безсвинцева п'єзокераміка в умовах великого d33> 300PC / N, придатна для використання в якості драйвера і потужних пристроїв.