最適なピエゾ結晶を選択するにはどうすればよいですか

圧電セラミックスには、オクチル酸バリウム、オクチル酸鉛、オクチル酸鉛、オクチル酸銅など、カルシウムの複雑な構造に似た、または強誘電体誘電体、ニグロール鉛およびアルカリベースの混合物を含む圧電セラミックスの基礎を形成する、カルシウムに富む鉱石構造を有する強誘電体セラミックスおよび反強誘電体セラミックスが含まれます。エネルギーハーベスティング用の最も圧電管の価格が高い結晶は、いくつかの多結晶、非晶質、膨張可能な細孔で構成される多色のセラミックであるミスチネート酸化物に広く使用されています。圧電特性は、ベース相の強誘電体マイクロドメインのモーメントの局所的な規則的な配置によって引き起こされます。最も広く使用されている Pzt 圧電ディスク トランスデューサは、不純酸化鉛をベースとした圧電セラミックで、いくつかの多結晶、アモルファス、膨張可能な細孔で構成される多色のセラミックです。圧電 Pzt 材料の圧電プレート特性は、ベース相の強誘電体マイクロドメインのモーメントの局所的規則的配置によって引き起こされます。 1970 年代半ば、機能的な強誘電性圧電ディスク センサーのデータシートへの関心が異常に高まり、それを使って製品が作られました。近年、国内の一部の企業が圧電セラミックの生産に取り組んでおり、セラミックコンデンサの生産量は2～3年ごとに2倍に増加しています。圧電セラミックスは、所定の形状、サイズ、特性（一定の範囲内）を与えることができました。しかし、ビスマス層状超音波圧電ディスク水晶には、独自の欠点があります。第一に、抗電界（Ec）が高すぎて分極が起こりにくいこと、第二に、圧電活性が低く、抵抗率が低いことです。これら 2 種類の欠点を克服するために、主に高温分極が採用されています。圧電セラミックディスクトランスデューサは、温度の上昇とドーピングの変更により減少します。高いインピーダンスを得るために、Nb5 + と V5 + に Bi4Ti3O12 (BIT) がドープされています。BITN (Bi4Ti3-xNbxO12) と BITV (Bi4Ti3-xVxO12) の密度は理論値の 95% 以上に達し、BIT の抵抗率は 1010 ~ 1011 Ψ cm、BITN と BITV は約 1013 ～ 1014Ψ cm、Tc 650 ℃、k33 0. 39。さらに、Bi3TiTaO9 (BT T) のドーピングに基づく結果、Qm は最大 13 500 です。これらの特性により、ピエゾ結晶サウンダー センサーは高温センサーに適したビスマス層セラミックを決定します。 Lian Zhang らは、Bi4 Ti3O12 に Nb2O5 を加えて層状 Bi4 Ti3-x Nbx O12 + x / 2 (BiTN) を使用して、低温での圧電セラミック特性を 0 ～ 0.220 まで研究しました。結果は、すべてのサンプルが理論値の 95% の密度を持ち、Nb5 + その他の相が生成されないことを示しています。粒子は 0.08 および 0.11 で異方性成長を減少させ、セラミックスは最高の特性を備えています: 高 kp (0.36; 0.35)、d33 (19.18PC / Q 2 (2 348; 2 492)、tan δ (2.3; 2.2%)、ε / ε 0 (181 199) など。鉛フリー圧電の場合ペロブスカイト構造を有するセラミックスで、d33> 300PC/N が大きく、ドライバーやハイパワーデバイスとしての使用に適した鉛フリー圧電セラミックスです。