چگونه بهترین کریستال های پیزو را انتخاب می کنید؟

سرامیک‌های پیزوالکتریک شامل سرامیک‌های فروالکتریک و ضد فروالکتریک با ساختار سنگ معدنی غنی از کلسیم است که اساس سرامیک‌های پیزوالکتریک مورد استفاده با اکتوات باریم، اکتوات سرب، اکتوات سرب، اکتوات مس، شبیه به ساختار پیچیده کلسیم یا حاوی مخلوط دی‌گرو بازلی کلسیم و آهن آلی سرب است. پیزوالکتریک ترین کریستال قیمت لوله برای برداشت انرژی به طور گسترده ای برای اکسید بد استفاده می شود که یک سرامیک چند رنگ متشکل از چندین منافذ پلی کریستالی، آمورف و بادی است. خواص پیزوالکتریک ناشی از آرایش منظم محلی ممان های میکرو دامنه های فروالکتریک فاز پایه است. مبدل دیسکی پیزوالکتریک Pzt به طور گسترده مورد استفاده قرار می گیرد. سرامیک پیزوالکتریک مبتنی بر اکسید سرب نامشخص یک سرامیک چند رنگ متشکل از چندین منافذ پلی کریستالی، آمورف و بادی است. خواص صفحه پیزوالکتریک مواد پیزوالکتریک Pzt ناشی از آرایش منظم محلی ممان‌های میکرو دامنه‌های فروالکتریک فاز پایه است. در اواسط دهه 1970، افزایش فوق‌العاده‌ای در علاقه مندی به برگه اطلاعات سنسور دیسک پیزوالکتریک فروالکتریک کاربردی و محصولات ساخته شده از آن وجود داشت. در سال های اخیر، برخی از شرکت ها در ژاپن به تولید پیزو سرامیک مشغول هستند و خازن های سرامیکی هر 2 تا 3 سال حجم تولید خود را دو برابر کرده اند. سرامیک های پیزوالکتریک توانسته اند شکل، اندازه و ماهیت از پیش تعیین شده ای داشته باشند (در محدوده معینی، با این حال، کوارتز پیزو دیسک اولتراسونیک لایه بیسموت معایب خاص خود را دارد: اول اینکه میدان اجباری (Ec) خیلی زیاد است، که برای قطبش مساعد نیست؛ دوم اینکه، فعالیت پیزوی کم برای قطبش پذیری پایین است. غلبه بر این دو نوع نقص عمدتاً قطبش دمای بالا را اتخاذ می کند، زیرا میدان اجباری مبدل دیسک سرامیکی پیزوالکتریک با افزایش دما و اصلاح دوپینگ کاهش می یابد. برای به دست آوردن امپدانس بالا، Nb5 + و V5 + با Bi4Ti3O12 (BIT) دوپ می شوند. (Bi4Ti3-xVxO12) به بیش از 95 درصد از موارد نظری می رسد. بر اساس دوپینگ، نتایج Qm تا 13 500 است. این ویژگی‌ها حسگر صوت کریستال پیزو، سرامیک لایه بیسموت مناسب برای سنسورهای دمای بالا، نوسان‌گرها و فیلترها، و غیره را تعیین می‌کند. خواص سرامیکی در دمای پایین از 0 تا 0.220 است. نتایج نشان می‌دهد که تمام نمونه‌ها دارای دانسیته 95 درصد ارزش تئوری هستند و دانه‌های Nb5 متفرقه باعث کاهش رشد ناهمسانگرد در 0.08 و 0.11 می‌شوند. (19.18PC / Q 2 (2 348؛ 2 492)، tan δ (2.3؛ 2.2%)، ε / ε 0 (181 199)، و غیره. برای سرامیک های پیزوالکتریک بدون سرب با ساختار پروسکایت، سرامیک های پیزوالکتریک بدون سرب از نظر استفاده از سرامیک های پیزوالکتریک بدون سرب به عنوان یک درایور بزرگ، N33P>30 مناسب برای یک درایور بزرگ دستگاه های پرقدرت