piattaforma di simulazione del campo sonoro del trattamento HIFU

Modello di calcolo del campo sonoro a array singolo

Nella progettazione strutturale del cristallo piezoelettrico ad ultrasuoni hifu, il metodo di calcolo approssimativo del campo sonoro può prevedere rapidamente il campo sonoro della sonda, in particolare per i punti di osservazione situati nel campo lontano; oltre al metodo di calcolo accurato e complesso degli elementi finiti, il metodo di calcolo approssimativo del campo sonoro può consentire ai ricercatori di osservare più chiaramente la chiave che influenza la distribuzione del campo sonoro, molto utile per la progettazione della sonda. Lontano dal suono di campo per l'eccitazione del segnale sinusoidale. L'analisi è un metodo di calcolo approssimativo comunemente utilizzato. È una soluzione numerica per approssimare la pressione sonora di un piezoelettrico HIFU a frequenza di risonanza nel campo lontano. Questo metodo è anche la base teorica per la creazione del modello di calcolo del campo sonoro dell'array. La parte sarà descritta in dettaglio di seguito. Il principio di risoluzione della legge. L'immagine mostra il modello spaziale del campo sonoro di un singolo elemento.

Innanzitutto, introdurre i vincoli del piezo focalizzato ad alta intensità,

(1) Il punto di osservazione si trova nel punto spaziale del campo lontano della sorgente sonora S;
(2) La sorgente sonora S è un elemento di matrice planare il cui modo di vibrazione principale è parallelo alla direzione positiva dell'asse Z;
(3) Il segnale di eccitazione dell'elemento di schiera è un segnale sinusoidale a frequenza singola;
(4) Il campo sonoro della sorgente sonora planare S è equivalente al risultato del campo sonoro del suo pannello superficiale;
(5) Il mezzo di trasmissione dell'altoparlante del trasduttore piezoelettrico Hifu è una guida d'onda infinitamente grande e uniforme con caratteristiche di attenuazione acustica.