platforma za simulaciju zvučnog polja HIFU tretmana

Model izračuna zvučnog polja s jednim poljem

U strukturnom dizajnu ultrazvučnog hifu piezoelektričnog kristala, metoda približnog izračuna zvučnog polja može brzo predvidjeti zvučno polje sonde, posebno za točke promatranja smještene u dalekom polju; uz preciznu i složenu metodu proračuna konačnih elemenata, metoda približnog izračuna zvučnog polja može omogućiti istraživačima da jasnije promatraju ključ utjecaja na distribuciju zvučnog polja. koji su od velike pomoći za ispitivanje dizajna. Daleko od zvuka polja za pobudu sinusoidnog signala. Analiza je često korištena metoda približnog izračuna. To je numeričko rješenje za aproksimaciju zvučnog tlaka HIFU piezoelektrika rezonantne frekvencije u dalekom polju. Ova metoda također je teorijska osnova za uspostavljanje modela proračuna zvučnog polja niza. Stranka će biti detaljno opisana u nastavku.Načelo rješavanja prava. Na slici je prikazan model prostornog zvučnog polja jednog elementa.

Prvo, uvedite ograničenja fokusiranog piezoa visokog intenziteta,

(1) Točka promatranja je u točki dalekog polja izvora zvuka S;
(2) Izvor zvuka S je element planarnog niza čiji je glavni način vibracije paralelan s pozitivnim smjerom Z osi;
(3) Pobudni signal elementa niza je jednofrekventni sinusoidalni signal;
(4) Zvučno polje planarnog izvora zvuka S jednako je rezultatu zvučnog polja njegove površinske ploče;
(5) Prijenosni medij Hifu piezo pretvornika zvučnika je beskonačno velik, uniformni valovod s karakteristikama akustičnog prigušenja.