बहुघटक पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री

बहुघटक पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री

समतुल्य आयनों और गैर-समतुल्य आयनों के प्रतिस्थापन के आधार पर Zr/Ti अनुपात को नियंत्रित करने के लिए BaTiO3 में Ba और Ti के प्रतिस्थापन के साथ-साथ ट्रेस अशुद्धियों और ऑक्साइड को जोड़ने की विधि के माध्यम से, का प्रदर्शन अल्ट्रासोनिक सफाई के लिए पीजो ट्रांसड्यूसर सफलतापूर्वक विकसित किया गया था। यह BaTiO3 पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री और लेड जिरकोनेट टाइटेनेट है, अर्थात्, PZT पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक पाया जाता है Pb(ZrxTi1-x)O3 सिस्टम और टेट्रागोनल फेरोइलेक्ट्रिक चरण में अल्ट्रासोनिक प्लेट ट्रांसड्यूसर । तीन-चरण फेरोइलेक्ट्रिक चरण सह-अस्तित्व में है। चरण सीमा के पास, टाइटेनियम आयन सांद्रता बढ़ने के साथ, सहज ध्रुवीकरण दिशा का अभिविन्यास बदल जाएगा रिंग पीजोइलेक्ट्रिक घटक । इस प्रक्रिया में, क्रिस्टल संरचना अस्थिर होती है, और इसलिए विद्युत गतिविधि और पीजोइलेक्ट्रिक प्रदर्शन में काफी सुधार होता है, पीजोइलेक्ट्रिक स्थिरांक BaTiO3 का 2 गुना होता है, और प्रदर्शन पीजो सिरेमिक रिंग क्रिस्टल सभी पहलुओं में बेरियम टाइटेनेट पीजो सिरेमिक से काफी बेहतर है। पीजेडटी-आधारित सिरेमिक आशाजनक विकास के साथ एक कार्यात्मक सामग्री है। पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के अनुप्रयोग में एक नई स्थिति विभिन्न प्रकार के तत्वों के साथ लेड जिरकोनेट टाइटेनेट पर आधारित है।

सुधारित टर्नरी और क्वाटरनेरी पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक ट्रांसड्यूसर भी अस्तित्व में आए। बहु-तत्व पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक एकल पीजो सिरेमिक की भरपाई कर सकता है, और इसमें व्यापक पीजोइलेक्ट्रिक, ढांकता हुआ और यांत्रिक गुणों के फायदे हैं। अधिक, बड़ी संख्या में पीजोइलेक्ट्रिक प्लेट क्रिस्टल ने यह भी दिखाया है कि विभिन्न विश्राम के संयोजन में फेरोइलेक्ट्रिक्स पीजेडटी सिरेमिक है, साथ ही इस प्रणाली के पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के आयन-एक्सचेंज और डोपिंग संशोधन, पीजोइलेक्ट्रिक प्लेट कंपन सेंसर उच्च ढांकता हुआ और पीजोइलेक्ट्रिक गुण प्राप्त कर सकते हैं। टर्नरी प्रणाली के आधार पर, एक बहुउद्देशीय पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री जैसे कि एक विशेष प्रयोजन चतुर्धातुक प्रणाली विकसित की गई है, पीजोइलेक्ट्रिक प्लेट सेंसर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के अनुसंधान को और अधिक आशाजनक बनाता है।