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दृश्य: 7 लेखक: साइट संपादक प्रकाशन समय: 2018-07-14 उत्पत्ति: साइट
का अध्ययन उच्च तीव्रता केंद्रित अल्ट्रासाउंड तकनीक 1940 के दशक से प्रभावी रही है, लेकिन उस समय इंजीनियरिंग तकनीक द्वारा सीमित होने के कारण, तकनीक तेजी से विकसित नहीं हुई है। कंप्यूटर जैसी संबंधित प्रौद्योगिकियों के तेजी से विकास के साथ, प्रौद्योगिकी ने कई इंजीनियरिंग और तकनीकी कर्मियों और चिकित्सा कर्मियों का बहुत ध्यान आकर्षित किया है। हाल के वर्षों में, इस तकनीक पर अनुसंधान की गति स्पष्ट रूप से तेज हो गई है। चीन में कई इकाइयां लॉन्च हो चुकी हैं। यह उपकरण और नैदानिक अनुप्रयोग अनुसंधान का अनुसंधान और विकास है, जिसने उल्लेखनीय परिणाम प्राप्त किए हैं, इसके नैदानिक अनुसंधान परिणामों ने अंतरराष्ट्रीय साथियों का ध्यान और प्रशंसा आकर्षित की है।
राज्य खाद्य एवं औषधि प्रशासन द्वारा प्रस्तावित उद्योग मानक 'हाई इंटेंसिटी फोकस्ड अल्ट्रासाउंड (एचआईएफयू) ट्यूमर थेरेपी सिस्टम' को एक की परिभाषा के लिए मंजूरी दे दी गई है। यूनिट ट्रांसड्यूसर या मल्टी-एलिमेंट द्वारा अल्ट्रासोनिक हिफू पीजो ट्रांसड्यूसर ट्यूमर उपचार प्रणाली। ध्वनियों की सरणी द्वारा गठित केंद्रित अल्ट्रासाउंड ध्वनि स्रोत, ध्वनि संचारण माध्यम से गुजरने के बाद, मानव शरीर के सामान्य ऊतक के लिए स्वीकार्य अल्ट्रासाउंड की तीव्रता रोगी की सतह के माध्यम से प्रसारित होती है, और ऊर्जा लक्ष्य ऊतक पर केंद्रित होती है जिससे जमावट परिगलन निष्क्रिय उपचार प्रणाली होती है। यह पेपर विकास के कुछ मुद्दों पर प्रारंभिक चर्चा करता है उच्च फोकस पीजो प्रौद्योगिकी।
फोकस्ड अल्ट्रासाउंड ट्रांसड्यूसर तकनीकी इंजीनियरिंग के केंद्र में हैं, जो सबसे महत्वपूर्ण प्रौद्योगिकियां हैं। विभिन्न ट्रांसड्यूसर योजनाएं ट्रांसड्यूसर के फोकसिंग प्रभाव और इलेक्ट्रोकॉस्टिक रूपांतरण दक्षता को प्रभावित करेंगी, जिसके परिणामस्वरूप विभिन्न चिकित्सीय प्रभाव होंगे। वर्तमान सामान्य फोकसिंग विधियां ध्वनिक लेंस फोकसिंग, मिरर फोकसिंग, मल्टी-एलिमेंट फोकसिंग और 'मोज़ेक' मल्टी-अवतल गोलाकार फोकसिंग हैं। यह ध्वनिक लेंस पर ध्यान केंद्रित कर रहा है: चूंकि लेंस स्वयं अल्ट्रासोनिक तरंग को अवशोषित करता है, इसलिए उच्च तापमान से लेंस को ख़राब करना आसान होता है। इसका विद्युत ध्वनिक दक्षता रूपांतरण उच्च फोकसिंग पीजो पिकअप कम है। एचआईएफ यू प्रौद्योगिकी की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए, बड़ी विद्युत शक्ति प्रदान करना आवश्यक है।
यदि शक्ति बहुत बड़ी है, तो यूनिट ट्रांसड्यूसर का एपर्चर इतना बड़ा है कि उसे तोड़ा नहीं जा सकता, जो उपज और विश्वसनीयता को प्रभावित करता है। मिरर फोकसिंग में परावर्तक सतह की स्थिति में छोटे परिवर्तन होते हैं, जिससे फोकस स्थिति टी में महत्वपूर्ण परिवर्तन होता है, और यांत्रिक संरचना जटिल होती है और वॉल्यूम अपेक्षाकृत बड़ा होता है। बड़ी इंजीनियरिंग अधिक कठिन है; 'मोज़ेक' अवतल में गोलाकार फोकसिंग सतह होती है: यह फोकसिंग ट्रांसड्यूसर आमतौर पर दसियों या यहां तक कि सैकड़ों फ्लैट सिरेमिक शीट से बना होता है, जिसे लागू करना आसान होता है, लेकिन आकार में बड़ा, इलेक्ट्रोकॉस्टिक रूपांतरण दक्षता में कम, और आदिम की प्रदर्शन स्थिरता और चरण स्थिरता बहुत अधिक होती है और फोकस ध्वनि क्षेत्र को नियंत्रित नहीं किया जा सकता है। बहु-तत्व स्व-फ़ोकसिंग ट्रांसड्यूसर में आमतौर पर 10 से अधिक टुकड़े ट्रांसड्यूसर नहीं होते हैं।
