Language
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| मात्रा: | |
|---|---|
PH200F0216
पीज़ोहन्नास
PH200F0216
दूरी माप के लिए 200KHz अल्ट्रासोनिक जांच पीजोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर
तकनीकी मापदंड :
नमूना |
PH200F0216 |
केंद्र गुंजयमान आवृत्ति (kHz) |
200KHZ±4% |
एफ आवृत्ति बी और चौड़ाई |
16kHz |
पता लगाने की दूरी |
0.10~ 2एम |
अंधे धब्बे |
<0. 10एम |
लॉन्च कोण बीम (- 3डीबी पूर्ण कोण) |
14±2° |
एकीकृत संवेदनशीलता (0 डीबी = 200 वीपी-पी ；अवधि ： 50；दूरी ： 20सी एम) |
-67डीबी मिनट |
इलेक्ट्रोस्टैटिक कैपेसिटेंस |
400पीएफ±20% |
न्यूनतम समानांतर प्रतिबाधा |
350Ω±30% |
अधिकतम कार्यशील वोल्टेज (पल्स - 2% कर्तव्य चक्र) |
＜ 500V |
परिचालन तापमान |
-20 ~80℃ |
भंडारण तापमान |
-40 ~85℃ |
सुरक्षा स्तर |
आईपी65 |
इंस्टालेशन |
बाह्य चक्र निश्चित |
केस सामग्री |
पेट |
तस्वीर:
रूपरेखा आयाम:
आवृत्ति-प्रतिरोध वक्र ：
आवृत्ति- चरण कोण वक्र ：
संवेदनशीलता परीक्षण:
ट्रांसमिटिंग वोल्टेज: 200Vp-p; अवधि: 50; दूरी: 10C एम
![जी)FU15MHR]KQZ3KPCV9NT0](http://5krorwxhlkpmrik.leadongcdn.com/cloud/liBqnKjlRioSilrkpkio/G-FU15MHR-KQZ3KPCV9NT0.png)
डी प्रत्यक्षता वक्र :
आवेदन पत्र:
1.स्थिति स्थान
2. दृष्टिकोण माप
3.यातायात मापन
4.बाधाओं से बचना
दूरी माप के लिए 200KHz अल्ट्रासोनिक जांच पीजोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर
तकनीकी मापदंड :
नमूना |
PH200F0216 |
केंद्र गुंजयमान आवृत्ति (kHz) |
200KHZ±4% |
एफ आवृत्ति बी और चौड़ाई |
16kHz |
पता लगाने की दूरी |
0.10~ 2एम |
अंधे धब्बे |
<0. 10एम |
लॉन्च कोण बीम (- 3डीबी पूर्ण कोण) |
14±2° |
एकीकृत संवेदनशीलता (0 डीबी = 200 वीपी-पी ；अवधि ： 50；दूरी ： 20सी एम) |
-67डीबी मिनट |
इलेक्ट्रोस्टैटिक कैपेसिटेंस |
400पीएफ±20% |
न्यूनतम समानांतर प्रतिबाधा |
350Ω±30% |
अधिकतम कार्यशील वोल्टेज (पल्स - 2% कर्तव्य चक्र) |
＜ 500V |
परिचालन तापमान |
-20 ~80℃ |
भंडारण तापमान |
-40 ~85℃ |
सुरक्षा स्तर |
आईपी65 |
इंस्टालेशन |
बाह्य चक्र निश्चित |
केस सामग्री |
पेट |
तस्वीर:
रूपरेखा आयाम:
आवृत्ति-प्रतिरोध वक्र ：
आवृत्ति- चरण कोण वक्र ：
संवेदनशीलता परीक्षण:
ट्रांसमिटिंग वोल्टेज: 200Vp-p; अवधि: 50; दूरी: 10C एम
डी प्रत्यक्षता वक्र :
आवेदन पत्र:
1.स्थिति स्थान
2. दृष्टिकोण माप
3.यातायात मापन
4.बाधाओं से बचना
