HIFU-pietsokeraamisen kasvaimen hoidon periaate on keskittää ultraäänienergia sairauskudokseen tietyllä fokusointimenetelmällä. Polttopisteen voimakkaan energiakertymän ansiosta polttoalue saatetaan lyhyessä ajassa (0,5-5s). Kohdekudoksen lämpötila nousee yli 60C, mikä

Tässä osiossa suunnittelimme 125-kanavaisen HIFU-pietsokeraamisen käsittelyjärjestelmän, jonka rivipylväsrakennetta simuloitiin äänikentällä, ja ryhmän teoreettinen analyysi oli jatkuvaa herätesignaalilla taajuudella 2MHz. yhden pisteen tarkennuksen tulos st

HIFU pietsokeramiikan suunnitteluparametrit vaikuttavat suoraan järjestelmän suorituskykyyn ja tuotantokustannuksiin. Tämä artikkeli perustuu laboratorion olemassa olevaan laitteistopohjaan, joka perustuu pallomaiseen kruunuultraääniryhmämalliin, jossa ehdotetaan anturin parametrien perussuunnittelua.

Seuraava kuva esittää äänenpaineen aikahuippua, joka saadaan sen jälkeen, kun pallomainen kruunumalliryhmä A on poikkeutettu eri etäisyyksillä X-akselin positiiviseen suuntaan. Missä a ja e, b ja f, C ja g, d ja vastaavasti ovat HIFU-pietsokeramiikka, joka on taipunut 0 mm positiivisessa dioissa.

Ihmiset yrittävät optimoida anturin matriisin suunnitteluparametreja (kuten ryhmäelementtejä, matriisielementtejä jne.), optimoimalla anturin akustisia yhteensopivia komponentteja, ryhmäelementin muotoa, kokoa, täyttösuhdetta, optimoida äänikenttämittaria anturin suunnittelua ja laskentamenetelmää varten, optimoida. Signaali mo

HIFU käyttää toissijaista HIFU pietsokeraamista tekniikkaa ultraääniaaltojen välittämiseen useista antureista potilaan kehon ulkopuolelle ja kohdistaa vaurion muodostamaan riisin kokoisen samanlaisen korkean intensiteetin polttopisteen. Korkean lämpötilan tuottaminen syöpäsolujen polttamiseksi. Hoitoa varten,

Lähes kaikissa menetelmissä on mitattava eri kudosten akustisia ominaisuuksia ja niiden lämpötilaominaisuuksia, ja nämä parametrit vaihtelevat yleensä kudoksittain, mikä tuo hankaluuksia tuhoamattomaan ultraäänilämpötilan mittaustekniikkaan. Tämä on kiireellinen tarve ratkaista

Planetaarinen hidastustekniikka voi saada skannauksen tarkkuuden 0,01 mm:iin ja käyttää sitten keski- ja korkealaatuista B-ultraääni- ja Hifu-pietsosähköistä kristallikäsittelyjärjestelmää IC-osien muodostamiseen, se ohjaa paikannus- ja kohdekudosta sekä toteuttaa seurantavaikutuksen. Ensimmäiseksi

250Khz hifu pietson mittaus on pääasiassa tarkennuksen äänikentän ominaisuus - se on tarkennusparametri. Koska ultraääniaallot ovat alttiita kavitaatiolle ja epälineaarisille vaikutuksille veden ja ihmisen kudosten alla, se on arvaamaton tekijä, erityisesti kohdistetun äänikentän ominaisuudet.

Äänen enimmäispaine ja nouseva lämpötila eroavat toisistaan ​​suuresti, mutta maksimilämpötilan nousun suhde äänen enimmäisabsorptiokykyyn on lähes sama. Korkean intensiteetin fokusoitu pietsosähköinen keramiikka osoittaa, että absorptioteho on

Tämä menetelmä on ajatukseltaan yksinkertainen ja kätevä toteuttaa, mutta koska itse B-ultraäänen kuvan tarkkuus ei ole korkea ja tieto sisälsi itse kaksi ortogonaalista leikkausta, mikä ei riitä kuvaamaan itse koko vauriota, kasvaimen muoto ei ole pääosin elli

Multi-Array HIFU-keraamiset pietso-ultraäänimuuntimet voidaan myös jakaa kahteen tyyppiin, joista toinen on puhdas moniryhmämuoto ja toinen on monivaiheinen vaiheistettu matriisitarkennus. Puhdas moniryhmäelementti sijoittaa yleensä useita pietsosähköisiä keraamisia levyjä seven koveraan pallomaiseen pintaan.

Korkean intensiteetin fokusoitu ultraäänitekniikka (HIFU) on invasiivinen hoitotapa, jota on käytetty kasvainsairauksissa, mikä saa ultraäänipietson olemaan kohdealueella ultraäänen lämpövaikutusten, kavitaatiovaikutusten ja mekaanisten vaikutusten alaisena. Leesiot voivat tuhoutua.

Pietsosähköisen keramiikan dielektrinen häviö ja pietsosähköinen vakio