Гістерезисні характеристики п'єзокераміки

 Характеристики гістерезису п’єзоелектричної телескопічної кераміки широко використовуються в оптиці, прецизійній обробці та інших областях, але через недоліки гістерезису, повзучості та нелінійності важко контролювати, а в багатьох випадках п’єзоелектричний елемент п'єзопластини і блок використовуються для лінійного елемента. Гістерезис п'єзокераміки становить близько 14%, а гістерезис п'єзоелектричної кристал п'єзорокільця pzt 5 не змінюється з температурою. Гістерезис електрострикційної кераміки сильно змінюється в різному діапазоні температур. Коли температура вища за 30 ℃, гістерезис становить менше 5%, тоді як температура менше 10 ℃, гістерезис перевищує 17%, а експоненціальне правило збільшується.

Сучасними методами зменшення гістерезису є: 1) використання методу контролю заряду; 2) обидва кінці ємнісного методу послідовно в п'єзоелектрична трубка пзт-5 для підводного зв'язку ; 

1. Математична модель;

2. Універсальна модель Maxwell;

3. Поліноміальна апроксимаційна модель;

4. Використання резисторів і конденсаторів для формування моста;

5. замкнутий контур переміщення електрод п'єзотрубка керамічний елемент. Де метод використовується для додатків із відкритим контуром або керування із замкнутим контуром.