Waar is een piëzo-elektrische transducer van gemaakt?

                Waar is een piëzo-elektrische transducer van gemaakt?

piëzo keramische bol

piëzo-schijfelement

piëzo-elektrische plaatsensor

    Gelaagde piëzo-elektrische keramiek is ook een hot topic in het onderzoek naar piëzo-elektrische keramiek. Het heeft een goede vermoeiingssterkte, hoge Curie-temperatuur, duidelijke anisotropie van de elektromechanische koppelingscoëfficiënt, lage verouderingssnelheid, hoge weerstand en lage sintertemperatuur. Kenmerken van piëzo-keramische bollen zijn uitgebreid bestudeerd. Ze zijn toepasbaar op hoge temperatuur- en hoogfrequente velden, ferro-elektrische geheugens, displays, enz. Ze hebben echter ook de nadelen van piëzoschijfelement piëzo-elektrische activiteit, grote coërcitiefvelden en dergelijke. Momenteel zijn ze voornamelijk gedoteerd met verschillende perovskietstructuren. Materiële wijziging van BNT piëzo-elektrische keramiek.

Tadashi piëzo-keramische ringen zijn gedoteerd met Bi4Ti3O12 (BIT) op basis van Nb5 + en V5 +, wat resulteert in (BI4Ti3 - xNbxO12) BITN en (Bi4Ti3 - xVxO12) BITV-dichtheden van meer dan 95% van de theorie. Doping ter vervanging van Ti5+ in SBTi-keramiek laat zien dat wanneer Ti wordt vervangen door V, zowel de dichtheid als de Curietemperatuur van het keramiek worden verbeterd. Li Yongxiang et al [31] doteerden V5+ en W6+ in CaBi4Ti4O15 (CBT). De resultaten laten zien dat het doteren van een piëzo-elektrische buis de remanente polarisatie van het materiaal kan vergroten en het dwangveld ervan kan verminderen. In W6 + gedoteerde CBT-keramiek wordt, hoewel de remanente polarisatie lager is dan die vóór doping, het coërcitieve veld ook verminderd, dus een kleine hoeveelheid doping kan de piëzo-elektrische prestaties nog steeds verbeteren, maar vergeleken met V5 +, ultrasone lastransducer doping verbetert de piëzo-elektrische prestaties.