圧電セラミックスの特性向上

製造および研究中に、圧電セラミックの性能を向上させるために、微量添加剤としていくつかの酸化物や化合物が使用されることがよくあります。これらの微量添加により、PZT 内の一部のチタン イオンとジルコニウム イオンの位置がそれぞれ置き換えられます。 粒子内のピエゾセラミックディスクは 動きやすいため、抗電界が著しく減少し、3つの分極状態が減少します。 超音波圧電センサー は分極しやすいです。長期にわたって実験を繰り返した結果、Pb2O からなる改質 PZT 材料に対する 6.5 MHz の圧電セラミック フィルタが決定されました。 90Sr0。 05Mg0.03Ba0.02(Zr0.53Ti0.47)O3+、CeO2+MnO2。圧電セラミック材料は仮焼成、成型、焼成、研削加工後、24mm×0.シルバーの両面に35mmの丸いピエゾセラミックスがあり、 ピエゾ振動センサーを100℃のオーブンに入れて10分以上焼き、銀層まで青毛除去タイルを形成します。それから 電気ピエゾセラミックは 良好な銀磁器になります。箱型炉に入れて15℃/6分の加熱速度で100℃まで均一加熱、一定温度は0.5時間継続し、15℃/6分の均一加熱速度で400℃まで加熱し、次に20℃/6分の均一加熱速度で700℃まで加熱、一定温度は20分、 ブロック結晶圧電体を 100℃以下までゆっくり冷却して焼成し、一定温度で0.5時間、15℃/6分間の加熱速度で400℃まで均一加熱を継続し、次に20℃/6分間の加熱速度で700℃まで均一加熱、一定温度で20分間、100℃以下までゆっくり冷却して焼成。室温で 12 時間放置した良質の銀磁器をシリコンタンクに置き、異なる分極条件で分極し、24 時間後に圧電特性を測定しました。 E = 2.0 kV / mmおよびt = 15分の条件下で圧電特性に及ぼす分極温度の影響を調べ、圧電セラミックの分極をTによって変化させ、Eによるd33の変化を調べた。 T が増加すると、d33 は急速に増加し始めます。分極温度が 130℃に達しても、d33 球状圧電ピックアップの値は基本的に変化しません。これは、低温では温度が上昇するにつれて結晶軸比 c / a が小さくなり、ドメインの活性が増加するためです。その結果、90°の電界反転による内部応力が減少し、電気ドメインのステアリングに影響を与えます。抵抗が小さくなり、ドメインが整列しやすくなり、分極が容易になります。 T が 130 ℃に達すると、圧電ドメインのステアリングはほとんど完了し、飽和するため、d33 の値は変化しなくなります。