बेरियम टाइटेनेट (BaTiO3) में एक उच्च ढांकता हुआ स्थिरांक और एक बड़ा पीजोइलेक्ट्रिक गुणांक (क्वार्ट्ज क्रिस्टल का लगभग 50 गुना) होता है। नुकसान यह है कि क्यूरी तापमान कम (120 डिग्री सेल्सियस) है, तापमान स्थिरता और यांत्रिक शक्ति क्वार्ट्ज क्रिस्टल जितनी अच्छी नहीं है।
लेड जिरकोनेट टाइटेनेट एक ठोस घोल Pb(Zr, Ti)O3 है जो PbTiO3 और PbZrO3 से बना है। बेरियम टाइटेनेट की तुलना में, पीजेडटी सिरेमिक ट्यूब गुणांक बड़ा है, और क्यूरी तापमान 300 डिग्री सेल्सियस से ऊपर है। इलेक्ट्रोमैकेनिकल पैरामीटर तापमान से कम प्रभावित होते हैं और समय स्थिरता अच्छी होती है। इसके अलावा, ज़िरकोनियम टाइटेनेट में एक या दो अन्य ट्रेस तत्वों (जैसे रूथेनियम, ऑस्मियम, टिन, मैंगनीज, टंगस्टन, आदि) को जोड़ने से विभिन्न गुणों के साथ पीजेडटी सामग्री भी प्राप्त की जा सकती है। इसलिए, लेड जिरकोनेट टाइटेनेट पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर में सबसे व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री है।
सीसा रहित पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और उनके ट्रांसड्यूसर आकार
(3) पीजोइलेक्ट्रिक पॉलिमर पॉलीटेट्राफ्लुओरोएथिलीन (पीवीएफ2) मजबूत पीजोइलेक्ट्रिक प्रभाव वाली एक पॉलिमर फिल्म है। सिंथेटिक पॉलिमर फिल्म में समरूपता के संदर्भ में कोई पीज़ोइलेक्ट्रिक प्रभाव नहीं होता है, लेकिन उनमें एक 'प्लानर सॉटूथ' संरचना होती है। एक द्विध्रुव जिसे ऑफसेट नहीं किया जा सकता। खींचने और खींचने के बाद, आणविक श्रृंखला अक्षों को नियमित रूप से व्यवस्थित किया जा सकता है, और आणविक अक्ष के लंबवत दिशा में स्वचालित रूप से ध्रुवीकृत द्विध्रुव उत्पन्न होते हैं। जब एक डीसी उच्च वोल्टेज विद्युत क्षेत्र को फिल्म की मोटाई की दिशा में ध्रुवीकृत किया जाता है, तो यह पीजोइलेक्ट्रिक गुणों वाली एक बहुलक फिल्म हो सकती है। यह फिल्म लचीली है और आसानी से बड़े क्षेत्र वाले पीजोइलेक्ट्रिक अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर में निर्मित होती है। इस प्रकार का घटक प्रभाव के प्रति प्रतिरोधी है, यह आसानी से टूटता नहीं है, इसमें अच्छी स्थिरता होती है और इसमें व्यापक आवृत्ति बैंड होता है। इसके पीजोइलेक्ट्रिक गुणों को बेहतर बनाने के लिए, हाइब्रिड मिश्रित सामग्री (पीवीएफ2-पीजेडटी) बनाने के लिए पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक पाउडर को शामिल करना भी संभव है।
(4) पीजोइलेक्ट्रिक सेमीकंडक्टर सामग्री जैसे कि ZnO, CdS, ZnO, CdTe, ऐसे बल संवेदनशील उपकरण में उच्च संवेदनशीलता और कम प्रतिक्रिया समय के फायदे हैं। इसके अलावा, ZnO का उपयोग सतह ध्वनिक तरंग थरथरानवाला की पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री के रूप में किया जाता है, और बल और तापमान जैसे मापदंडों को मापा जा सकता है।
पीज़ोइलेक्ट्रिक सेंसर का माप सर्किट
पीज़ोइलेक्ट्रिक सेंसर एक वोल्टेज स्रोत के बराबर हो सकता है जैसा कि (ए) में दिखाया गया है या एक चार्ज स्रोत के बराबर हो सकता है, जैसा कि चित्र (बी) में दिखाया गया है।
पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर का वोल्टेज स्रोत और चार्ज स्रोत समतुल्य सर्किट
जब पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर मापने वाले सर्किट से जुड़ा होता है, तो कनेक्टिंग लाइन की कैपेसिटेंस सीसी, एम्पलीफाइंग सर्किट के इनपुट प्रतिरोध री, इनपुट कैपेसिटेंस सीआई और पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर के आंतरिक प्रतिरोध रा पर भी विचार किया जाना चाहिए।
वोल्टेज प्रवर्धक
पीजेडटी सामग्री पीजोइलेक्ट्रिक प्लेट्स पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर में स्वयं एक उच्च आंतरिक प्रतिबाधा और एक छोटी आउटपुट ऊर्जा होती है, इसलिए इसके माप सर्किट को आमतौर पर एक उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रीएम्प्लीफायर से कनेक्ट करने की आवश्यकता होती है।
1 वोल्टेज एम्पलीफायर (प्रतिबाधा कनवर्टर) 2 चार्ज एम्पलीफायर, चार्ज एम्पलीफायर एक एम्पलीफायर है जिसका आउटपुट वोल्टेज इनपुट चार्ज की मात्रा के समानुपाती होता है।
हुबेई हन्नास टेक कंपनी लिमिटेड एक पेशेवर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर निर्माता है, जो अल्ट्रासोनिक प्रौद्योगिकी और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए समर्पित है।
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