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ट्रांसड्यूसर का उपयोग माइक्रो-विस्थापन ड्राइविंग डिवाइस के लिए किया जाता है

दृश्य: 1     लेखक: साइट संपादक प्रकाशन समय: 2018-08-25 उत्पत्ति: साइट

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अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर को दो सममित धातु के गोले के साथ जोड़ा जाता है और पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक डिस्क को धातु-सिरेमिक मिश्रित प्रकार बनाने के लिए सुपर गोंद के साथ मोटाई की दिशा में ध्रुवीकृत किया जाता है, इसका कार्य तंत्र पीजो सिरेमिक वेफर के उच्च-प्रतिबाधा, छोटे-रेडियल विस्तार और संकुचन विस्थापन के लिए कम-प्रतिबाधा और पतली धातु के खोल के बड़े-झुकने वाले विरूपण में बदल रहा है, जिससे शीर्ष पर लंबवत एक बड़ा आयाम विस्थापन उत्पन्न होता है। पतली धातु का खोल. सिम्बल ट्रांसड्यूसर को मूल रूप से एक माइक्रो-विस्थापन ड्राइव डिवाइस का उपयोग करने के लिए डिज़ाइन किया गया था जो अपेक्षाकृत बड़ी यांत्रिक रूप से विस्तारित पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक डिस्क प्रदान करता है। धातु पीजो सिरेमिक मिश्रित ट्रांसड्यूसर का विस्थापन और मध्यम ड्राइविंग बल बिमॉर्फ संरचना और मल्टीलेयर वेफर संरचना के बीच सूक्ष्म-विस्थापन डिवाइस के बीच के अंतर को भरते हैं। बाद में, कुछ विद्वानों ने ट्रांसड्यूसर को हाइड्रोकॉस्टिक रिसीवर और ग्रुपिंग मल्टीपल के रूप में उपयोग करने का सुझाव दिया। छोटे आकार के सिम्बल ट्रांसड्यूसर तत्व ट्रांसड्यूसर के ध्वनि स्रोत और प्रत्यक्षता को बढ़ाने के लिए एक उचित स्थान सरणी है।


सैद्धांतिक विश्लेषण और प्रयोगों से पता चलता है कि सिम्बल ट्रांसड्यूसर में समान आकार की स्थितियों के तहत दोहरे क्रिस्टल ऑसिलेटर की तुलना में कम इलेक्ट्रोमैकेनिकल ऊर्जा रूपांतरण दक्षता होती है, ऑपरेटिंग आवृत्ति और बिजली की खपत अन्य प्रकार के पीजोइलेक्ट्रिक वाइब्रेटर की तुलना में अधिक होती है। झांझ अल्ट्रासोनिक दूरी सेंसर कम आवृत्तियों पर काम करते हैं और अत्यधिक संवेदनशील, छोटे, हल्के और सरणी संरचना बनाने में आसान होते हैं।


की दोहरी गुंजयमान आवृत्ति दूरी ट्रांसड्यूसर सेंसर सर्किट दोहरी अनुनाद आवृत्ति झांझ ट्रांसड्यूसर की निर्माण विधि का भी परिचय देता है। प्रयोगों से पता चला है कि झांझ ट्रांसड्यूसर बनाने के लिए असममित धातु के गोले का उपयोग 16-50 kHz रेंज में दो अलग-अलग गुंजयमान आवृत्तियों का उत्पादन करता है। ब्रॉडबैंड अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर को धातु के खोल की सामग्री और संरचनात्मक आयामों का उचित चयन करके निर्मित किया जा सकता है ताकि झांझ ट्रांसड्यूसर की दो अनुनाद चोटियां एक साथ करीब हों। यदि असममित झांझ ट्रांसड्यूसर की बहुलता को कंपित किया जाता है, तो झांझ ट्रांसड्यूसर सरणी की बैंडविड्थ और इसके पॉइंटिंग लाभ दोनों को बढ़ाया जा सकता है।


ट्रांसड्यूसर की संरचना और इलेक्ट्रोमैकेनिकल ऊर्जा रूपांतरण के रूप के दृष्टिकोण से, ऑन-बोर्ड अल्ट्रासोनिक दूरी माप सेंसर में निम्नलिखित विशेषताएं या कार्य होने चाहिए: 1 कॉम्पैक्ट संरचना और आसान स्थापना; 2 क्षेत्र कार्य के लिए उपयुक्त; 3. ध्वनि तरंगों के प्रसार के दौरान ऊर्जा के अवशोषण को कम करने के लिए, ऑपरेटिंग आवृत्ति को कम आवृत्ति बैंड में डिज़ाइन करने की अनुमति देता है, 4. जिसमें एक बड़ी विकिरण सतह होती है, ताकि ट्रांसड्यूसर की अच्छी दिशा हो। जैसा कि ट्रांसड्यूसर के विभिन्न रूपों की पूर्वगामी चर्चा से देखा जा सकता है, रेडियल और मोटाई पैदा करने वाले पीजोइलेक्ट्रिक डिस्क ट्रांसड्यूसर में उपरोक्त दोनों विशेषताएं हैं। इसके अलावा, डॉपलर शिफ्ट समस्या और नैरो बैंड समस्या पर भी विचार किया जा रहा है दूरी मापने वाले ट्रांसड्यूसर सेंसर , सिम्बल ट्रांसड्यूसर में निहित कॉम्पैक्ट संरचना का उपयोग एक अल्ट्रासोनिक रिसीवर सरणी बनाने के लिए किया जा सकता है जो छोटे आकार, वजन में हल्का और आवृत्ति बैंडविड्थ है। वायु माध्यम में यह पेपर उपरोक्त दो कारकों पर व्यापक रूप से विचार करता है, और एक संयुक्त अल्ट्रासोनिक जांच बनाने के लिए मुख्य ट्रांसड्यूसर के रूप में डिस्क ट्रांसड्यूसर और सहायक प्राप्त ट्रांसड्यूसर के रूप में सिम्बल का उपयोग करने के डिजाइन विचार को सामने रखता है, जिसमें एक बड़ी कार्य दूरी और अच्छी दिशा है। आवृत्ति बैंडविड्थ, छोटे आकार, हल्के वजन, ऑन-बोर्ड अल्ट्रासोनिक दूरी मापने वाला सेंसर।


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हुबेई हन्नास टेक कंपनी लिमिटेड एक पेशेवर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर निर्माता है, जो अल्ट्रासोनिक प्रौद्योगिकी और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए समर्पित है।                                    
 

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