पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक की मुख्य संरचना

पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक की मुख्य संरचना होती है। पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक असंख्य और विभिन्न प्रकार के होते हैं, लेकिन क्रिस्टल संरचना के दृष्टिकोण से, पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक मुख्य रूप से तीन प्रकार के होते हैं, जो पेरोव्स्काइट संरचना, टंगस्टन कांस्य संरचना और बिस्मथ युक्त परत संरचना हैं।

1. पेरोव्स्काइट संरचना
सर्वाधिक उपयोगी PZT सामग्री पीजो सिरेमिक सामान्य सूत्र ABO3 के साथ पेरोव्स्काइट संरचनाएं हैं, और AB की संयोजकता A2+B4+ या A1+B5+ हो सकती है। चित्र ABO3 पेरोव्स्काइट की संरचना का एक योजनाबद्ध आरेख है। सरल घन पेरोव्स्काइट संरचना सामान्य शीर्ष कोणों वाले ऑक्टाहेड्रोन की एक श्रृंखला से बनी है। ऑक्सीजन ऑक्टाहेड्रोन का केंद्र एक उच्च मूल्य त्रिज्या बी-साइट आयन है, जैसे कि टीआई, एसएन। , Zr, Nb, Ta, W, आदि, और ऑक्सीजन ऑक्टाहेड्रोन में, एक बड़ी त्रिज्या, कम बिजली की कीमत, समन्वय संख्या 12 A-स्थिति आयन, जैसे Na, K, Rb, Ca, Sr, Ba, Pb, आदि हैं। 

2. टंगस्टन कांस्य संरचना

कुछ ऑक्सीजन ऑक्टाहेड्रल फेरोइलेक्ट्रिक्स टंगस्टन कांस्य संरचना में मौजूद हैं, और उन्हें टेट्रागोनल टंगस्टन कांस्य KxWO3 और NaxWO3 के समान संरचना के लिए नामित किया गया है। इस संरचना की मूल विशेषता यह है कि एक चतुष्कोणीय इकाई कोशिका में 10 BO6 ऑक्टाहेड्रोन होते हैं, जैसे PbNb2O6, NaSr2Nb5O15, इत्यादि। यह पेरोव्स्काइट संरचना के समान है, इस प्रकार के फेरोइलेक्ट्रिक में ऑक्सीजन ऑक्टाहेड्रल नेटवर्क संरचना भी होती है, लेकिन पीजोसेरेमिक सामग्री पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर एक साधारण पेरोव्स्काइट संरचना की तुलना में अधिक जटिल है। ऑक्सीजन ऑक्टाहेड्रोन को एक सामान्य शीर्ष के रूप में चतुर्भुज के साथ एक स्टैक में रखा जाता है, और स्टैक एक सामान्य बिंदु पर जुड़े होते हैं। पेरोव्स्काइट संरचना के विपरीत, ये ढेर चतुर्भुज अक्ष के लंबवत विमान में असंगत होते हैं, और ऑक्सीजन ऑक्टाहेड्रोन के विभिन्न ढेरों के बीच अलग-अलग रिक्तियां बनती हैं।

3. परतदार संरचना जिसमें इनेमल होता है