उच्च प्रदर्शन क्यूरी तापमान पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक का उत्पादन 2001 में किया गया है, BiScO3 मिश्रित के साथ PbTiO3 (PT) पहले तैयार क्यूरी तापमान Pb (Zr, Ti) O3 (PZT) से अधिक है
पीजोइलेक्ट्रिक डिस्क क्रिस्टल , और पीजोइलेक्ट्रिक पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक पीजेडटी सिरेमिक के समान प्रदर्शन के साथ दिए गए हैं। विभिन्न रचनाओं के साथ बीएसपीटी सिरेमिक के पीजोइलेक्ट्रिक गुण दिए गए हैं। बीएसपीटी प्रणाली में उच्च क्यूरी तापमान टीसी, एमपीबी में उच्च ढांकता हुआ और पीजोइलेक्ट्रिक गुण हैं, PbTiO3 में उत्कृष्ट है
पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर की कीमत d33 = 460pC/N और kP = 0.56.BSPT के कारण होती है। जिसका उपयोग PZT से अधिक तापमान के लिए किया जा सकता है, इस तथ्य के कारण कि बीएसपीटी का क्यूरी तापमान Tc लगभग 100 डिग्री है। जो PZT की तुलना में अधिक है, उच्च क्यूरी तापमान क्षार धातु नाइओबेट फेरोइलेक्ट्रिक सामग्री की एक सामान्य विशेषता है, लेकिन शुद्ध RNbO3 (R = Li, Na, K) दूसरी ओर, चीनी मिट्टी की चीज़ें, जिन्हें वायुमंडल में पारंपरिक सिंटरिंग द्वारा प्राप्त करना मुश्किल होता है क्योंकि क्षार धातु ऑक्साइड में उच्च तापमान पर एक निश्चित गतिशीलता होती है, जो एक निश्चित सीमा तक होती है।
उच्च आवृत्ति पीजोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर सिंटेड सिरेमिक और सिरेमिक घनत्व के क्रिस्टलीकरण गुणों को प्रभावित कर रहा है। 2004 से 2005 तक, सामग्री वैज्ञानिकों ने प्रतिक्रियाशील अनाज-उन्मुख विकास (आरटीजीजी) जैसी नई तैयारी तकनीकों का उपयोग करके क्यूरी पॉइंट टीसी = 450 ℃ और डी 33 = 230 पीसी / एन के साथ एनबीओ 3 प्रणाली की उच्च तापमान पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री को सफलतापूर्वक तैयार किया है, जिससे (1) -x) LiNbO3- x (Na, K) NbO3 सिरेमिक सिस्टम नए उच्च क्यूरी तापमान पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के अनुसंधान में गर्म विषयों में से एक बन गया है। इस पेपर में, हाल के वर्षों में देश और विदेश में पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के अनुप्रयोग की नवीनतम प्रगति को संक्षेप में प्रस्तुत किया गया है, और इसकी एक श्रृंखला बनाई गई है।
पीजो ट्यूब ट्रांसड्यूसर उपाय पेश किए गए हैं, उत्पादन अभ्यास में पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के अनुप्रयोग को और अधिक पूरी तरह से लागू करने के लिए
पीजोइलेक्ट्रिक रिंग ट्रांसड्यूसर में लेड जिरकोनेट टाइटेनेट (PZT) पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक, लेड-फ्री बिस्मथ मल्टीलेयर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक, बिस्मथ सोडियम टाइटेनेट (BNT) पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और बेरियम टाइटेनेट (BaTiO3) पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सिस्टम शामिल हैं। अंत में, भविष्य के विकास में पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक का चलन है। पीजोइलेक्ट्रिक प्लेट सेंसर सामग्री का भी संक्षेप में परिचय दिया गया है।
हुबेई हन्नास टेक कंपनी लिमिटेड एक पेशेवर पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक और अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर निर्माता है, जो अल्ट्रासोनिक प्रौद्योगिकी और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए समर्पित है।
