फिशिंग फाइंडर ट्रांसड्यूसर के लिए Dia.27.4mm अल्ट्रासाउंड पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक डिस्क सेंसर

                 
     फिशिंग फाइंडर ट्रांसड्यूसर के लिए Dia.27.4mm अल्ट्रासाउंड पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक डिस्क सेंसर

वुहान पीजोहन्नास टेक.को., लिमिटेड मजबूत तकनीकी शक्ति के साथ पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक, अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर का निर्माता है। एक गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली और अनुसंधान एवं विकास क्षेत्र के साथ, हमारे उत्पादों का अधिकांश अनुप्रयोगों में बड़े पैमाने पर उपयोग किया जाता है।

पीजोइलेक्ट्रिक डिस्क ट्रांसड्यूसर

पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक  सेंसर भाग

PZT पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक डिस्क

विद्युत विशेषताओं:

पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री: P-44
आयाम: व्यास 27.4 मिमी है

1. गुंजयमान आवृत्ति: 200KHZ ± 5%
 
2. गुंजयमान प्रतिरोध (R): <35ohm
 
 3. युग्मन कारक (KP) : 0. 35%
 
4. समाई (Cp) : 700 पीएफ ± 20%
 
5. ढांकता हुआ नुकसान :<0.5%

पीजो डिस्क का मानक आकार:

उत्पादित करने के लिए पीजो डिस्क की रेंज:

व्यास: 2 मिमी-120 मिमी
मोटाई: 0.1 मिमी-30 मिमी

पीजेडटी सामग्री:

 

पीजो हन्नास लेड जिरकोनेट टाइटेनेट (पीजेडटी) और सीसा रहित पीजो सिरेमिक पर आधारित पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्रियों का विस्तृत चयन प्रदान करता है। 'सॉफ्ट' और 'हार्ड' पीज़ो सिरेमिक के पदनाम द्विध्रुव या डोमेन की गतिशीलता को संदर्भित करते हैं और इसलिए ध्रुवीकरण और विध्रुवण व्यवहार को भी संदर्भित करते हैं। PZT 4 और PZT 8 कठोर सामग्री से संबंधित है, PZT 5 नरम सामग्री है, PZT पीजोइलेक्ट्रिक सिरेमिक जिरकोनियम, टाइटेनियम और लेड ऑक्साइड को सिंटरिंग द्वारा तैयार किया जाता है। जिसमें प्रमुख ढांकता हुआ, पीजोइलेक्ट्रिक और फेरोइलेक्ट्रिक गुण होते हैं। 'सॉफ्ट' पीजो सिरेमिक को उच्च संवेदनशीलता और उच्च इलेक्ट्रोमैकेनिकल युग्मन गुणांक के साथ इंजीनियर किया जाता है। सामग्री से लेकर उत्पाद विकास से लेकर वॉल्यूम निर्माण तक। जिसका उपयोग मुख्य रूप से उच्च संवेदनशीलता ट्रांसड्यूसर, फ्लोमीटर ट्रांसड्यूसर, कंपन सेंसर और एक्सेलेरोमीटर के लिए किया जाता है। 'हार्ड' पीजो सिरेमिक को बेहतर विद्युत और यांत्रिक गुणों के साथ अत्यधिक घने सूक्ष्म संरचनाओं के साथ इंजीनियर किया जाता है। कठोर सामग्री केवल कम ढांकता हुआ और यांत्रिक नुकसान से अधिक प्रदान करती है, जिसका उपयोग मुख्य रूप से चिकित्सीय अल्ट्रासाउंड के लिए किया जाता है, HIFU, सोनार, सफाई और वेल्डिंग ट्रांसड्यूसर।
 
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उच्च विद्युत ड्राइव के तहत विध्रुवण के प्रति उच्च प्रतिरोध और कम ढांकता हुआ नुकसान के कारण उच्च शक्ति ध्वनिक विकिरण ट्रांसड्यूसर के लिए PZT-4 की सिफारिश की जाती है। यांत्रिक तनाव के तहत विध्रुवण के प्रति इसका उच्च प्रतिरोध इसे गहरे-डुबकी वाले ध्वनिक ट्रांसड्यूसर में और विद्युत ऊर्जा उत्पादन प्रणालियों में सक्रिय तत्व के रूप में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाता है।

ऊंचे तापमान पर इसकी उच्च प्रतिरोधकता, उच्च संवेदनशीलता और उच्च समय स्थिरता के कारण हाइड्रोफोन या उपकरण अनुप्रयोगों के लिए PZT-5A की सिफारिश की जाती है।
 
PZT-5H में PZT-5A की तुलना में अधिक संवेदनशीलता और पारगम्यता है, और अधिकांश अन्य मामलों में यह PZT-5A के समान है। हालाँकि, इसका स्पष्ट रूप से निचला क्यूरी बिंदु, कार्यशील तापमान सीमा को सीमित करता है और कम तापमान स्थिरता की ओर ले जाता है। PZT-8, PZT-4 के समान है, लेकिन उच्च इलेक्ट्रिक ड्राइव के तहत इसमें ढांकता हुआ और यांत्रिक नुकसान भी कम है। इसे PZT-4 के लिए उपयुक्त की तुलना में उच्च पावर हैंडलिंग क्षमता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए अनुशंसित किया जाता है।
 
PZT-8, PZT-4 के समान है, लेकिन उच्च इलेक्ट्रिक ड्राइव के तहत इसमें ढांकता हुआ और यांत्रिक नुकसान भी कम है। इसे PZT-4 के लिए उपयुक्त की तुलना में उच्च पावर हैंडलिंग क्षमता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए अनुशंसित किया जाता है।

अनुप्रयोग छवि: