Du vil aldrig tro på disse bizarre sandheder bag piezoelektrisk keramik

Du vil aldrig tro på disse bizarre sandheder bag piezoelektrisk keramik

Selvom PZT-baseret blyholdig piezoelektrisk keramik dominerer det piezoelektriske felt. PZT-baseret piezoelektrisk keramik er dog en slags materiale, der er skadeligt for den menneskelige krop og miljøet. En af de giftige PbO i processen med forarbejdning og sintring let flygtig, skadelig for den menneskelige krop og miljøet. Derfor er det et presserende behov på udkig efter et piezoelektrisk keramisk materiale, der kan sammenlignes med PZT-materialer piezoelektrisk pladepris uden bly, inden for elektroniske materialer. På nuværende tidspunkt er forskningens hot spots i ind- og udland hovedsageligt koncentreret i to kategorier: vismutholdige lagdelte piezoelektrisk disksensor datablad og blyfri piezoelektrisk keramik med perovskitstruktur. Bismuth lagdelt (BLSF) piezoelektrisk keramik er sammensat af todimensionel perovskit og Bi2O2 lag er arrangeret skiftevis. Den er speciel for lagdelt struktur, der bestemmer følgende egenskaber: lav dielektrisk konstant, høj curie temperatur, høj elektromekanisk koblingskoefficient, tydelig anisotropi, høj resistivitet, lav ældningshastighed, stor dielektrisk nedbrydningsstyrke og lav sintringstemperatur Vent. Disse karakteristika ved Pzt piezo-ringresonansfrekvens bestemmer den piezokeramiske, der er særligt velegnet til højtemperatur- og højfrekvensapplikationer, og løser dermed PZT piezoelektriske keramiske ydeevne ustabilitet under højeffektresonansfejl. Dog lagdelt vismut piezokeramiske transducerringeffekter piezoelektrisk keramik har deres egne ulemper. For det første er tvangsfeltet (Ec) for højt, hvilket ikke er befordrende for polarisering. For det andet er den piezoelektriske aktivitet lav, og resistiviteten er lav. For at overvinde disse to mangler, den vigtigste brug af høj temperatur piezo keramisk Pzt 8 polarisering, da tvangsfeltet falder med stigende temperatur med doping modifikation. For at opnå høj impedans, doper Nb5+ og V5+. Resultaterne viser, at tæthederne af både BITN og BITV når op på mere end 95% af teoretiske. Resistiviteten af ​​BIT er 1010 ~ 1011 cm, mens den for BITN og BITV er omkring 1013 ~ 1014 cm. Derudover er Bi3TiTaO9 (BT T) også dopet, resultatet for Qm er op til 13.500. Disse egenskaber bestemmer det keramiske vismutlag, der er egnet til højtemperatursensorer, oscillatorer og filtre.