П'єзоелектричні властивості п'єзоелектричного перетворювача

П'єзоелектричні властивості зі збільшенням вмісту Mn, низькочастотний п'єзоелектричний перетворювач легує kp і Qm варіації. Зі збільшенням легування Mn kp і d33 о контроль вібрації п'єзоелектричного приводу зменшився, тоді як Qm спочатку збільшився, а потім зменшився. Можлива причина полягає в тому, що Mn заміщає місце B у кристалічній структурі типу ABO3. Перовскіт генерує певні кисневі вакансії та демонструє типові характеристики легування акцепторів, що призводить до зменшення збільшення kp і d33, Кристал п’єзоелектричної пластини впливає на розмір зерна в певному діапазоні, великі зерна можуть сприяти п’єзоелектричності п’єзоелектричної кераміки, а більші зерна можуть зменшити межі зерен, що утворюються під час процесу поляризації. Стрес і Qm зростають, тому tan W зменшується. Проте збільшення в П'єзосферичний перетворювач призведе до збільшення розміру 90° сегнетоелектричного домену, а обертання поляризації буде непростим, і X зменшиться. У той же час, розмір зерна занадто великий, міжзерниста порожнеча збільшиться, зерно не зв’яжеться одне з одним, і фактична щільність серйозно відхиляється. Теоретична щільність ціна п’єзоелектричного датчика   призводить до зниження механічної міцності, зменшення Qm і зниження п’єзоелектричної активності зразка, тому розмір зерна п’єзоелектричної кераміки не може бути занадто великим. Коли Mn становить кількість легування r> 0,2%, зерно швидко зростає, так що kp і d33 падають швидше, але Qm п'єзопластин з PZT матеріалу не підвищується, а зменшується, п'єзоелектрична активність зменшується; коли легування Mn r> 0,2%, зміни kp, d33 і Qm можуть бути в основному пов'язані з меншою механічною міцністю та розподілом неоднорідності зерен. Підсумовуючи, коли Mn легує, 0,2% зразка має хороші п’єзоелектричні властивості.