Przetwornik piezoelektryczny 1 MHz do pomiarów ultradźwiękowych

                 
                     Przetwornik piezoelektryczny 1 MHz do pomiarów ultradźwiękowych

WuHan Piezohannas Tech.Co., Ltd jest producentem ceramiki piezoelektrycznej, przetworników ultradźwiękowych o dużej sile technologicznej. Dzięki systemowi zarządzania jakością oraz sektorowi badawczo-rozwojowemu nasze produkty są szeroko stosowane w większości zastosowań.

Dyski piezoelektryczne z materiału PZT5

przetwornik piezoelektryczny

dysk piezoceramiczny

Rozmiar:

średnica: Φ28mm
grubość: 2mm
materiał: pzt4

Częstotliwość: Fst=1MHz
Pojemność statyczna: CT=3800pF±12,5%
Strata indukcyjna: tanδ=max.0,5%
Stała odkształcenia piezoelektrycznego: d33≥310P/N
Środowisko testowe: przy 25°C ± 5°C, 60% RH
Warunki testowe: przy 1KHz, 1Vrms

Standardowy rozmiar dysków piezoelektrycznych:

asortyment dysków piezoelektrycznych do produkcji:

Średnica: 2 mm-120 mm
Grubość: 0,1 mm-30 mm

Aplikacje:

Przetworniki piezoceramiczne do transmisji i odbioru sygnału ultradźwiękowego potrzebnego w czujnikach poziomu do bezdotykowego pomiaru poziomu cieczy i materiałów sypkich.

Ultradźwiękowe czujniki poziomu są szeroko stosowane do bezdotykowego pomiaru poziomu cieczy i materiałów sypkich. Czujnik składa się z przetwornika piezoceramicznego, który może emitować fale ultradźwiękowe o wysokiej częstotliwości. Przetwornik piezoceramiczny jest montowany nad mierzoną powierzchnią cieczy. Odległość powierzchni cieczy od czujnika określana jest poprzez wysłanie krótkiego impulsu ultradźwiękowego i pomiar czasu jego odbicia od powierzchni cieczy.

Materiał PZT:

 

- Ceramika piezoelektryczna PZT4 ma podwójną funkcję odbioru i transmisji, z wyższą czułością i mniejszą stratą dielektryczną.

- Ceramika piezoelektryczna PZT5 charakteryzuje się wyższym współczynnikiem sprzężenia elektromechanicznego, umiarkowaną stałą dielektryczną i wyższą czułością.

- Ceramika piezoelektryczna PZT8 o dużej mocy przenoszenia ma dobre właściwości piezoelektryczne, wysoką wytrzymałość mechaniczną, wysokie pole koercyjne, niskie straty dielektryczne w silnych polach.

Obraz aplikacji: