Apakah itu Penderia Transduser Ultrasonik Hannas

Gelombang ultrasonik merambat dalam garis lurus. Kekerapan adalah lebih tinggi, keupayaan pembelauan adalah lebih lemah, tetapi lebih kuat keupayaan pantulan. Atas sebab ini, penderia ultrasonik boleh dibuat menggunakan sifat gelombang ultrasonik ini. Di samping itu, kelajuan perambatan gelombang ultrasonik di udara adalah perlahan, yang menjadikan penggunaan sensor ultrasonik mudah.

Penderia ultrasonik dibangunkan dengan menggunakan ciri-ciri gelombang ultrasonik. Transduser julat ultrasonik ialah gelombang mekanikal dengan frekuensi getaran yang lebih tinggi daripada gelombang bunyi. Ia dihasilkan oleh getaran cip transduser di bawah pengujaan voltan. Ia mempunyai frekuensi tinggi, panjang gelombang pendek, fenomena pembelauan kecil, terutamanya kearaharah yang baik, dan boleh diarahkan ke sinar. Penyebaran dan ciri-ciri lain. Ultrasound mempunyai keupayaan yang hebat untuk menembusi cecair dan pepejal, terutamanya dalam pepejal yang legap kepada cahaya matahari. Ia boleh menembusi kedalaman berpuluh-puluh meter. Apabila gelombang ultrasonik mengenai kekotoran atau antara muka, ia akan menghasilkan pantulan yang ketara untuk membentuk gema, dan ia boleh menghasilkan kesan doppler apabila ia mengenai objek yang bergerak. Oleh itu, ujian ultrasonik digunakan secara meluas dalam industri, pertahanan negara, bioperubatan dan aspek lain. Ultrasound digunakan sebagai kaedah pengesanan, dan ia adalah perlu untuk menjana dan menerima gelombang ultrasonik. Peranti yang melaksanakan fungsi ini ialah sensor ultrasonik, yang lazimnya dipanggil transduser ultrasonik, atau probe ultrasonik.

Penderia ultrasonik terutamanya terdiri daripada penggetar bimorph, plat resonans kon dan elektrod. Apabila voltan tertentu digunakan di antara dua elektrod, wafer piezoelektrik akan dimampatkan untuk menghasilkan ubah bentuk mekanikal. Selepas voltan dikeluarkan, wafer piezoelektrik akan kembali ke keadaan asalnya. Jika voltan tekanan dikenakan antara dua kutub pada frekuensi tertentu, wafer piezoelektrik juga akan bergetar pada frekuensi tertentu. Selepas ujian, frekuensi semula jadi jenis cip piezoelektrik ini ialah 38 KHz, dan isyarat nadi gelombang persegi dengan frekuensi 40 KHz digunakan pada dua kutub. Pada masa ini, cip piezoelektrik bergema dan mengeluarkan gelombang ultrasonik. Dengan cara yang sama, an Transduser julat ultrasonik piezoelektrik tanpa isyarat nadi luaran juga akan bergema apabila plat resonan menerima gelombang ultrasonik, menghasilkan isyarat elektrik antara dua kutub.

Siasatan ultrasonik terutamanya terdiri daripada wafer piezoelektrik, yang boleh menghantar dan menerima gelombang ultrasonik. Probe ultrasound berkuasa rendah kebanyakannya digunakan untuk pengesanan. Ia mempunyai banyak struktur yang berbeza, yang boleh dibahagikan kepada kuar lurus (gelombang membujur), kuar serong (gelombang melintang), kuar gelombang permukaan (gelombang permukaan), kuar gelombang kambing (gelombang lam), kuar berganda (satu refleksi kuar, satu penerimaan kuar) Tunggu. Inti probe ultrasound ialah cip piezoelektrik dalam jaket plastik atau logamnya. Terdapat pelbagai jenis bahan pzt yang membentuk wafer. Saiz wafer piezoelektrik, seperti diameter dan ketebalan juga berbeza, jadi prestasi setiap probe ultrasonik adalah berbeza, kita tahu prestasinya sebelum permohonan. Terdapat penunjuk prestasi utama penderia ultrasonik.

(1) Kekerapan operasi.

Kekerapan kerja ialah kekerapan resonans wafer piezoelektrik, Apabila frekuensi voltan AC yang digunakan pada dua hujungnya adalah sama dengan frekuensi resonans cip piezoelektrik, tenaga keluaran adalah besar dan kepekaan adalah tinggi.

(2) Suhu kerja.

Kerana titik curie bahan piezoelektrik transduser jarak ultrasonik secara amnya agak tinggi, terutamanya apabila transduser ultrasonik digunakan untuk diagnosis menggunakan kuasa rendah, suhu kerja seramik piezo agak rendah, dan ia boleh berfungsi untuk masa yang lama tanpa kegagalan. Suhu probe ultrasound perubatan agak tinggi dan memerlukan peralatan penyejukan berasingan.

(3) Sensitiviti.

Ia bergantung terutamanya pada wafer pembuatan itu sendiri. Pekali gandingan elektromekanikal adalah besar dan sensitivitinya tinggi, sebaliknya, sensitivitinya rendah.