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圧電セラミックスの原理とドメインの形成

ビュー: 13     著者: サイト編集者 公開時間: 2018-11-19 起源: サイト

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圧電現象と圧電効果とは、 電子トランスデューサーの圧電セラミック 柱は、電極表面に垂直に圧力を加え、変形を引き起こし、高電圧放電も発生させます。可聴交流電圧信号が圧電ブザー電極に印加されると、変形が発生し、可聴音も発生します。これらの同様の現象をまとめると、正と負の圧電効果という概念が得られます。つまり、力の変形による圧電セラミックスの効果を正の圧電効果と呼びます。電圧を印加することによって圧電セラミックスが変形する効果を逆圧電効果といいます。


内部構造は、 Pzt セラミック トランスデューサ は、あらゆる材料の特性がその内部構造によって決定されることを教えてくれる材料の知識です。したがって、圧電セラミックスの圧電原理を理解し、圧電効果の原因を理解するには、まず圧電セラミックスについて知る必要があります。圧電セラミックスのセル構造と自発分極は、PbTiO3、BaTiO3、KxNa1-xNbO3、Pb(ZrxTi1-x)O3などの最も広く使用されている圧電セラミックペロブスカイト(CaTiO3)タイプの構造であるセル構造を持っています。このタイプの材料の化学式は ABO3 です。式中、Aの電気代は1または2、Bの電気代は4または5となります。その単位胞(結晶格子内の構造単位)です。

圧電セラミックスの圧電ドメインの形成:


圧電磁器において自発分極が均一な領域をドメイン(または強誘電体ドメイン)と呼ぶ。以下は、ペロブスカイト構造を立方晶相から正方晶相に変化させてドメインの形成を説明する例です。


1 c 軸方向は自発分極の方向を決定します
圧電セラミック振動子は 立方晶相から正方晶相に変化しますが、いずれかの軸が正方晶相の c 軸になる場合があります。自発分極はc軸に平行であるため、各単位胞の自発分極の向きは異なっていてもよい。しかし、これはエネルギーが最低の状態ではありません。


2 最小エネルギーの原理はドメイン構造を決定します。最小エネルギーの原理を満たすためには、正方晶相粒子がドメイン構造を形成する必要があり、格子整合には単位格子の配向が自発分極する必要があります。セルの最小エネルギー存在原理には、自発分極の方向が一致しないセルのマッチングが必要です。


3.相構造は磁壁の種類を決定します
圧電セラミックスセルは 正方晶系であり、自発分極の方向は元の反応立方晶相の 3 つの結晶軸のうちの 1 つにのみ平行であることができるため、隣接する 2 つのドメインの自発分極の方向は 90° または 180° しかありえません。対応するドメインの境界面は、それぞれ 90° ドメイン壁および 180° ドメイン壁と呼ばれます。


外部電場の作用下でのドメインの移動。十分に高い直流電場がマルチドメイン結晶に印加されると、自発分極方向と電場の方向のドメインは増加し続け、その逆も同様です。結晶全体がマルチドメインからシングルドメインに変化し、自発分極の方向は電場の方向と一致します。分極プロセス ピエゾ セラミック バイモルフ は、セラミック プレートの電極に十分に高い DC 電界を加えて、自発分極が揃っている場合でもドメインを強制的に回転させます。 PS は自発分極、Pr は残留分極、EC は抗電界強度です。圧電セラミックスの分極処理では、一般に電界強度が2~3倍のECが選択される。圧電効果をさらに理解すると、分極した圧電セラミック内の残留分極は常に電気双極子モーメントの形で表現されます。つまり、圧電セラミックの一端に正の束縛電荷、もう一端に負の束縛電荷があり、束縛電荷の作用下で外界への残留分極の影響を遮蔽し、対抗するために、外部からの自由電荷がセラミック電極表面に吸着されます。

外部電場の作用下でのドメインの移動。十分に高い直流電場がマルチドメイン結晶に印加されると、自発分極方向と電場の方向のドメインは増加し続け、その逆も同様です。結晶全体がマルチドメインからシングルドメインに変化し、自発分極の方向が電場の方向と一致します。圧電セラミックスの分極プロセスでは、圧電セラミックスの電極に十分に高い DC 電界を加えます。 ピエゾ ディスク 自発分極が揃っている場合でもドメインを強制的に回転させる圧電セラミック トランスデューサー。 PSは自発分極、Prは残留分極、ECは抗電界強度です。圧電セラミックスの分極処理では、一般に2~3倍の電界強度を持つECが選択されます。圧電効果をさらに理解すると、分極された圧電セラミック内の残留分極は常に電気双極子モーメントの形で表現されます。つまり、圧電セラミックの一端には正の束縛電荷が、もう一端には負の束縛電荷がシールドされ、束縛電荷の作用下で外界への残留分極の影響を打ち消すために、外部からの自由電荷がセラミック電極表面に吸着されます。


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