圧電トランスデューサ業界で注目すべき新進気鋭の企業

超音波圧電セラミックピックアップもビスマス層状構造セラミックの改質に効果的な方法です。一般に、A および B 位置での置換により、特定の効果が得られます。 PbBi4Ti4O15CeO2にPbO2を添加するなど、材料の耐性を向上させることができます。 Bi3TiNbO9 に Cr2O3 と MoO3 を添加すると、 ピエゾトランスデューサーの日付シート。同時に、A、Bビットも交換されますが、圧電活性を向上させるという目的も達成されます。 Bi3TiNbO9 系では、B サイトの Nb5+ を Ti5+、W6+、または Ta5+ に置き換えることができ、どのような修飾を施すことによって圧電係数 d33 を Bi3+ の代わりに 5 pC/N から 24 pC/N に増加させることができます。 高強度圧電圧電計 はビスマス層状構造そのものであるため、圧電セラミック系の圧電係数を本質的に向上させることはできません。これにより、ドライブやその他の用途におけるビスマス層状セラミック構造が制限されます。ペロブスカイト構造系 ピックアップピエゾトランスデューサ は最も一般的な強誘電体セラミックであり、最も広く使用されているクラスでもあります。化学式はABO3、AB価数はA2 + B4 +、A3 + B3 +またはA1 + B5 +です。ペロブスカイト構造は単純な立方格子によって説明でき、各格子点は示されている構造モチーフの 1 つを表し、明らかに化学単位でもあります。の頂点 超音波プレートのトランスデューサー は大きな A イオンで占められ、体の中心は小さな B イオンで占められ、6 つの面は O イオンで占められています。これらの酸素イオンは酸素八面体を形成し、中心にBイオンがあり、結晶全体は酸素によって接続された全八面体、Aイオンが占める空間間の酸素八面体として見ることができます。一般に、A と B の配位数はそれぞれ 12 と 6 です。の酸素八面体には  圧電トランスデューサー材料 3 つの四重項、4 つの三重項、6 つの二重項があります。その主な自発分極は、B イオンが八面体中心から離れる動きによって生じます。