圧電効果の強さ

圧電効果の強さは、結晶の弾性特性と誘電特性の間の結合の度合いを反映します。つまり、機械的効果と電気的効果の間の結合の度合いは、電気機械結合係数 K によって表されます。 シリンダー圧電トランスデューサは 鉛を含む圧電セラミックスです。圧電性能は温度安定性があり、チタン酸ジルコン酸鉛 Pb (ZrxTi1-x)O3 圧電セラミックスのキュリー温度よりも大幅に優れています。 PZT 材料のピエゾ セラミック はこれまで以上に重要です。 PZTは、組成を変更したり、外部条件を変更したりすることで電気的特性を3元系、4元系など広範囲に調整することができ、さまざまなニーズに対応できます。 PZT ベースの圧電セラミックは一般に、焼結温度が比較的高く、 高密度ピエゾセラミック、それは1 200°Cから1 300°Cです。酸化鉛(PbO) ピエゾ欠陥検出の 揮発温度は約 800°C です。このため、焼結工程においてＰｂＯの揮発が起こりやすく、鉛雰囲気中での焼結ができず、セラミックスの性能が低下してしまう。また、表面実装技術（SM T）の発展により、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗器などの圧電セラミック円板結晶の積層デバイスは、高効率、小型化、機能集積化が図れるため市場で好まれていますが、圧電セラミックの焼結温度が高いため、圧電セラミック材料と電極材料の同時焼成が困難です。低温同時焼成により、ニッケル、銅、銀などの卑金属を内部電極として使用できます。焼結温度を下げるという観点からプロセスを改善できれば、 圧電セラミックディスク振動センサーは、PbOの揮発を抑制し、材料の性能を確保し、環境汚染を軽減し、装置の寿命を延ばす上で重要な技術的および経済的価値があるだけでなく、純銀の一次焼結にも使用されます。積層チップ圧電セラミック部品は、省エネルギー化を実現しながら広く使用されています。したがって、焼結圧電セラミック材料である低温シリンダ圧電トランスデューサの開発は、高性能、高信頼性、低コストの多層圧電セラミック複合材料の開発にとって重要な研究方向となっている。