焼結圧電セラミックスの分極

圧電セラミックスの分極はセラミックスの性能に直接影響しますが、低温焼結銀めっき法と化学銀蒸着法はセラミックスの分極問題を解決します。実験により、焼結された銀イオンが圧電セラミック内に拡散することはほとんどないことがわかりました。もう一つの主な方法は、焼結温度を下げることであり、これは超微粉末の調製です。の粉末形態 圧電ディスクのデータシートが改良され、粉末の粒子がナノサイズになりました。微細で均一な粉末は界面活性エネルギーが高いため、焼結に有利です。現在、超微粉末の調製には水熱法、ゾルゲル法、化学共沈法などがあります。研究によると、水熱合成された PZT 粉末の PbO 揮発温度は 924.71 °C、つまり PZT 粉末の反応温度であることが示されています。 粒子間の圧電シリンダー発生器は 圧電セラミックスの開発であり、その新しい用途は811.26℃です。 PZT粉末粒子の固相合成中の反応温度 圧電トランスデューサーサウンドディスク は 1 243. 47 °C、PbO の揮発温度は 1 213. 29 °C でした。したがって、効果的な合成方法を採用することは、焼結温度をPbO蒸発温度以下に制御できる超微細PZT粉末を調製することであり、鉛の揮発の問題を完全に解決できます。水熱法は、粉末の粒径が小さく、粒度分布範囲が狭く、結晶化が良く、分散性が良いという利点があります。 共振周波数ピエゾディスクは、粒子サイズ、形態、および粒子サイズ分布をより適切に制御できます。Zhao Ming。 Lei らは、(Ba015 Na015) 1 - x Bax TiO3 圧電セラミックがゾルゲル法によって製造されることを発見しました。これにより、(Bi015 N a015) 0 194 Ba0106 TiO3 セラミックを含む圧電性能が大幅に向上しただけではありません。このシリーズでは最大の圧電定数、d33 = 173 × 10 -12 CPN を実現します。従来のプロセスと比較して、d33 ピエゾディスクマウント は 40% 近く増加しました。さらに、ある範囲では、Ba含有量が増加するにつれて、材料の残留分極Prおよび抗電界Ecが徐々に減少し、脱分極温度が徐々に低下します。ゾルゲルには、低コスト、シンプルなプロセスと装置という利点があり、ピエゾ dsc センサーは最も広く使用されている湿式化学的調製法の 1 つです。最近、清華大学材料科学工学部のセラミックス国家重点実験室は、スパークプラズマ法（SPS）を用いて、粒径80mmの高密度（90％超）チタン酸バリウムBaTiO3ナノ結晶の合成に成功した。放電プラズマ法 (SPS) 。ピエゾ トランスデューサのデータシートは急速焼結法です。 SPSは従来の焼結法に比べて焼結時間が短く、焼結後の密度が高く、焼結後期における結晶粒の成長を大幅に抑制することができます。製造プロセスの改善に加えて、PZT ベースの圧電セラミックスは化学成分によって改質することができます。等価イオン置換修飾、付加的修飾など。