PZTピエゾセラミックス材料

科学者らは、PZT材料がZr/Ti比で準均一相境界（以下、MPBと呼ぶ）を持つ場合、正方晶相と三成分相が存在することを発見した。 圧電リングトランスデューサはこの相境界で共存し、PZT 材料はより優れた強誘電性と電気的特性を備えています。強誘電体材料 M BP 付近の圧電ディスク結晶は 大きな残留分極 Pr を持ち、キュリー温度は pzt材質ピエゾセラミックにより 広範囲の調整が可能です。ペロブスカイト構造を有する強誘電体材料は容易に作製できます。材料コストが比較的安く、良好です。現在、圧電セラミックスに応用されている研究が多数あります。主にペロブスカイト型、タングステンブロンズ型、ビスマス層状構造があり、これらの性能は圧電セラミックスに応用されています。 リング圧電アクチュエータの 圧電材料の比較。PZT 材料系として知られています。圧電性能は良好ですが、キュリー温度 Tc が 386 ℃しかないため、高温領域での PZT 圧電セラミックスの限界が生じます。チタン酸鉛（PT）圧電セラミックスのキュリー温度は490℃、誘電率は490℃です。 リング圧電トランスデューサは 小型、高い電気特性、大きな圧電異方性、第 3 高調波温度係数は既存のセラミック材料の中で最も小さいです。しかし、立方晶から正方晶への相転移の冷却プロセスにチタン酸鉛セラミックの焼結困難が存在します。亀裂が入りやすく、軸比が大きいため抗磁場が大きくなり、分極が困難になります。適切な量の改質添加剤を添加することで、優れた性能の圧電セラミックを得るのが難しいプロセスを克服できます。ビスマス積層圧電セラミックリングプレートのキュリー温度は600℃を超えますが、圧電定数d 33 は小さいです。