PZT 材料上の外部電界

                                   PZT 材料上の外部電界

TC は Mn ドープ量の増加とともに増加しますが、その振幅は増加します。 PZT 材料のピエゾ セラミック はどんどん小さくなり、徐々に飽和していきます。 TC の変動則には、次の 2 つの理由があると考えられます。 (1) 内部バイアス磁場とEI 内部バイアス 。磁場の生成は一般に、アクセプタ ドーピングとドナー ドーピング Ei によって強化される空間電荷によって引き起こされます。マンさんにとっては、 ピエゾセラミック応力センサー は、Mn 2+ と O 2- が自発分極と同じ方向の外部電場とは反対の内部場を形成するためです。風速用の圧電トランスデューサーは、自発分極に対する外部電場の影響を弱めたり、打ち消したりすることができます。したがって、正確なヒステリシス ループを得るには、内部バイアス磁界を持つ強誘電体のヒステリシス ループを複数回の反転によって除去する必要があります。強誘電性相変化は、立方晶相から方形相への構造変化の性質です。 高周波圧電トランスデューサ では、まさに自発分極によって構造の非対称性が形成されるため、自発分極が強誘電体の主な特徴であると言えます。具体的な実施形態では、強誘電体の相転移とは、自発分極が発生または消失することを意味します。圧電セラミックのトンピルツ トランスデューサ (ドメイン) の内部バイアス場には安定化効果があり、強誘電体の相転移にも影響を与える可能性があります。したがって、TC は Mn ドーピングの増加とともに増加します。 (2) 低濃度の場合、Mn の溶解度が圧電磁器本体に入り込み、Ti4+ や Zr4+ の Pb2+ または B 位の一部を置換します。 ピエゾ球トランスデューサ.Mnは主に格子に入り、内部偏向場所を形成し、自発分極を安定化する効果があります。 Mn含有量が増加すると、その溶解度は粒界に達し、再強化されなくなります。つまり、内部バイアス磁場は飽和しましたが、当然、自発分極の安定性は向上しません。これは、MnによるTCです。ドーピング量の増加は、最初に増加し、その後徐々に飽和します。