مکانیسم فیزیکی خواص پیزوالکتریک

مکانیسم فیزیکی سنسور سطح پیزو خواص پیزوالکتریک است، ما می دانیم که پلاریزاسیون سرامیک پیزوالکتریک که در هر دو انتهای بار محدود می شود، بنابراین سطح الکترود لایه ای از بار آزاد از جهان خارج جذب می شود. وقتی فشار خارجی F ژنراتور پیزوالکتریک روی ورق سرامیکی اعمال می شود، تخلیه در دو سر ورق اتفاق می افتد و در مقابل، شارژ به دلیل نیروی کششی اتفاق می افتد. این پدیده اثر مکانیکی به اثر الکتریکی متعلق به اثر پیزوالکتریک مثبت است. علاوه بر این، سرامیک پیزوالکتریک دارای خاصیت پلاریزه شدن خود به خود و پلاریزاسیون خود به خودی است. مبدل صفحه اولتراسونیک می تواند تحت تأثیر میدان الکتریکی خارجی تغییر کند. بنابراین، هنگامی که یک میدان الکتریکی به دی الکتریک دارای خاصیت پیزوالکتریک اعمال می شود، تغییر شکل در سرامیک پیزوالکتریک رخ می دهد. با این حال، دلیل اعوجاج سرامیک های پیزوالکتریک است هنگامی که همان میدان الکتریکی خارجی به عنوان قطبش خود به خود اضافه شود، قدرت پلاریزاسیون معادل آن است. افزایش قدرت پلاریزاسیون باعث می شود که ورق سرامیکی پیزوالکتریک در جهت پلاریزاسیون کشیده شود. برعکس، اگر میدان الکتریکی معکوس برای سنسور پیزوالکتریک اعمال شود، ورق سرامیکی پیزو در جهت قطبش کوتاه می شود. این پدیده به دلیل اثرات الکتریکی به اثرات مکانیکی، اثر پیزوالکتریک معکوس است. در حال حاضر، دمای پایین روش های پخت است. این روش sol-ge l، پرس گرم، آماده سازی پودر فوق العاده ریز و روش شار است. هدف از دوپینگ Li2O کاهش دمای پخت است. مشخص شد که پیزوالکتریک خوبی از مدار دیسک پیزو در دمای پایین 950 ℃ سنتز شد. سرامیک های پیزوالکتریک PMN-PNN-PZT پیزوالکتریک خوبی در دمای 900 درجه سانتیگراد داشتند. بهبود عملکرد با استفاده از شارهای دوپینگ اساسی ترین پیشرفت است، مانند رسوب همزمان، انحلال نمک، روش سل-ژل، روش هیدروترمال و غیره.