П'езаэлектрычная кераміка з высокай тэмпературай Кюры. Высокаэфектыўная п'езаэлектрычная кераміка з тэмпературай Кюры выраблена ў 2001 годзе, першапачаткова падрыхтаваны кампазіт PbTiO3 (PT) з BiScO3. Тэмпература кюры вышэй, чым у п'езаэлектрычнага дыскавага крышталя Pb (Zr, Ti) O3 (PZT), а

П'езакераміка PZT Навукоўцы выяўляюць, што калі матэрыял PZT мае квазіаднародную мяжу фаз (далей MPB) пры суадносінах Zr / Ti, тэтраганальная фаза і трохчасткавая фаза п'езаэлектрычнага кальцавога пераўтваральніка coe

Структура PZT матэрыялу квартэтнай вальфрамавай бронзыВальфрамавай бронзавай структуры п'езаэлектрычнага кальцавога пераўтваральніка можна падзяліць на мноства катэгорый, з якіх найбольш распаўсюджаны, найбольш шырока выкарыстоўваецца крышталь п'езаэлектрычнага датчыка, найбольш вывучаным з'яўляецца квартэт вальфраму бр